[发明专利]基板热处理设备和方法

权利要求书

1.一种基板热处理设备，包括：

内壳，被构造为形成容纳至少一个基板的基板容纳空间；

外壳，被构造为覆盖内壳，并具有至少一个气孔；

至少一个加热器，被构造为插入到形成在内壳和外壳中的加热器孔中，以支撑并加热基板，

其中，所述至少一个气孔被构造为允许第一气体被注入到内壳和外壳之间的空间中，

其中，所述空间由外壳的内表面和内壳的外表面限定，

其中，气孔设置在外壳处，

其中，第一气体完全地填充所述空间，并且

其中，形成在内壳中的加热器孔允许第一气体或位于基板容纳空间中的第二气体通过。

2.如权利要求1所述的设备，其中，内壳包括热绝缘体。

3.如权利要求1所述的设备，所述设备还包括：

至少一个气管，被构造为形成第一气体流动所经过的通道，

其中，所述至少一个气孔包括通过气管结合在一起的多个气孔。

4.如权利要求1所述的设备，其中，内壳和外壳之间的空间中的压力高于基板容纳空间中的压力。

5.如权利要求1所述的设备，所述设备还包括：

第一内部压力传感器，位于内壳和外壳之间的空间中；

第二内部压力传感器，位于基板容纳空间中；

压力控制器，被构造为将由第一内部压力传感器测量的第一压力和由第二内部压力传感器测量的第二压力进行比较，并基于比较而将第一压力调节为高于第二压力。

6.如权利要求5所述的设备，所述设备还包括：

至少一个第一气源，被构造为供应第一气体，

其中，压力控制器被构造为通过调节每单位时间内从所述至少一个第一气源供应的第一气体的量来将第一压力和第二压力之间的差控制为等于或大于参考值。

7.如权利要求1所述的设备，所述设备还包括被构造为提供第一气体的第一气源，其中，第一气源包括被构造为储存第一气体的第一气室，第一气室包括：

多个子室，每个子室被构造为储存多种类型的第一气体中相关的一种第一气体；

多个子室阀，每个子室阀安装在所述多个子室中相关的一个子室中。

8.如权利要求7所述的设备，所述设备还包括：

第二气源，被构造为将第二气体提供到基板容纳空间；

阀控制器，被构造为选择与第二气体对应的第一气体，并被构造为基于选择的第一气体来选择性地打开或关闭所述多个子室阀。

9.如权利要求8所述的设备，其中，阀控制器被构造为打开所述多个子室阀中与对应于第二气体的第一气体相关的一个子室阀，并关闭所述多个子室阀中的其他的子室阀。