[发明专利]用于制造隔膜组件的方法

权利要求书

1.一种用于制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法，所述方法包括：

提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层，其中所述平坦衬底包括内部区、围绕所述内部区的边框区、围绕所述边框区的桥接区以及围绕所述桥接区的边缘区；

邻近于所述平坦衬底的所述桥接区形成穿过所述至少一个隔膜层的桥接凹槽；

选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区和所述桥接区，使得所述隔膜组件包括：

由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；

保持所述隔膜的边框，所述边框由所述平坦衬底的所述边框区形成；

围绕所述边框的边缘区段，所述边缘区段由所述平坦衬底的所述边缘区形成；和

在所述边框与所述边缘区段之间的桥接件，所述桥接件由所述至少一个隔膜层形成；以及

将所述边缘区段与所述边框分离开使得邻近于所述边缘区段的所述至少一个隔膜层通过所述桥接凹槽与所述隔膜分离开。

2.如权利要求1所述的方法，包括：

将所述叠层定位于支撑件上使得所述平坦衬底的所述内部区被曝光；

其中当所述叠层在所述支撑件上时使用非液体蚀刻剂选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述平坦衬底的内部区被通过下列过程之一而被选择性地移除：原子层蚀刻、溅射蚀刻、等离子体蚀刻、反应离子蚀刻、深反应离子蚀刻。

4.如权利要求1所述的方法，其中，

所述叠层设置有机械保护材料，所述机械保护材料配置成在选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区的步骤期间以机械的方式保护所述边框区；并且

使用氟化物蚀刻剂来移除所述机械保护材料。

5.如权利要求4所述的方法，其中，所述氟化物蚀刻剂包括XeF₂等离子体。

6.一种用于制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法，所述方法包括：

提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层，其中所述平坦衬底包括内部区和围绕所述内部区的边框区；

将所述叠层定位于支撑件上使得所述平坦衬底的所述内部区被曝光；和

使用非液体蚀刻剂选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区，使得所述隔膜组件包括：

由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；和

保持所述隔膜的边框，所述边框由所述平坦衬底的所述边框区形成，

其中，所述叠层还包括下覆盖薄膜，或者上覆盖薄膜，或者下覆盖薄膜和上覆盖薄膜两者，其中所述下覆盖薄膜设置于平坦衬底与至少一个隔膜层之间，所述上覆盖薄膜被设置成使得所述至少一个隔膜层位于所述平坦衬底与所述上覆盖薄膜之间；并且所述下覆盖薄膜被配置成包含所述隔膜组件的所述隔膜的所述至少一个隔膜层，并且下覆盖薄膜和上覆盖薄膜中的每个被配置成在所述隔膜断裂时减少碎片的分布。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述平坦衬底的内部区被通过下列过程之一而被选择性地移除：原子层蚀刻、溅射蚀刻、等离子体蚀刻、反应离子蚀刻、深反应离子蚀刻。

8.一种用于制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法，所述方法包括：

提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层，其中所述平坦衬底包括内部区和围绕所述内部区的边框区；和

利用湿式蚀刻剂选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区，使得所述隔膜组件包括：

由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；和

保持所述隔膜的边框，所述边框由所述平坦衬底的所述边框区形成；

其中所述叠层设置有机械保护材料，所述机械保护材料配置成在选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区的步骤期间以机械的方式保护所述边框区；和

使用氟化物蚀刻剂移除所述机械保护材料。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述氟化物蚀刻剂包括XeF₂等离子体。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述叠层是矩形的。