[发明专利]用于制造隔膜组件的方法

说明书

一种用于制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法，所述方法包括：提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层，其中所述平坦衬底包括内部区和围绕所述内部区的边框区；将所述叠层定位于支撑件上，使得曝光所述平坦衬底的所述内部区；和使用非液体蚀刻剂来选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区，使得所述隔膜组件包括：由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；和保持所述隔膜的边框，所述边框由所述平坦衬底的所述边框区形成。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年9月2日提交的欧洲申请15183437.1的优先权，并且它通过引用而全文合并到本文中。

技术领域

本发明涉及一种用于制造隔膜组件的方法和一种隔膜组件。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底(通常是衬底的目标部分)上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成于IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分、一个或多个管芯)上。图案的转移通常通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。通常，单个的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。

光刻术被广泛地看作制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤的。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。

图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式(1)所示：

其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k1是依赖于工艺的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)知道，特征的最小可印刷尺寸的减小可以由三种途径实现：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小k1的值。

为了缩短曝光波长并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是波长在10-20nm范围内的电磁辐射，例如波长在13-14nm范围内。进一步地还提出可以使用具有小于10nm波长的EUV辐射，例如波长在5-10nm范围内，例如6.7nm或6.8nm的波长。这样的辐射被称为术语“极紫外辐射”或“软X射线辐射”。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或者基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。

光刻设备包括图案形成装置(例如掩模或掩模板)。辐射被提供通过图案形成装置或从图案形成装置反射以在衬底上形成图像。可以提供隔膜组件以保护图案形成装置免受空气中悬浮颗粒和其它形式的污染物影响。用于保护图案形成装置的隔膜组件可以被称为表膜。图案形成装置的表面上的污染物可能导致在衬底上制造出缺陷。隔膜组件可以包括边框和横跨边框伸展的隔膜。例如由于隔膜的薄度，很难制造出一种隔膜组件并且该隔膜组件在所述过程中不发生变形。

难以在隔膜组件在所述过程中没有受到损坏或污染的情况下制造出隔膜组件。例如，在制造隔膜组件的过程期间，所述隔膜可能以不被期望的方式被氧化或具有沉积在所述隔膜上的不希望的污染物颗粒。

期望减小在隔膜组件制造期间隔膜组件诸如表膜被变形、被损坏或被污染的可能性。

发明内容