[实用新型]光罩弯曲校正装置及曝光机有效
申请号: | 201821346226.7 | 申请日: | 2018-08-21 |
公开(公告)号: | CN208673039U | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 李亮亮;赵玉财;王璐 | 申请(专利权)人: | 咸阳彩虹光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/64 | 分类号: | G03F1/64;G03F7/20 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 张捷 |
地址: | 712000 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光罩 保持架 弯曲校正装置 抽真空装置 杆状结构 曝光机 吸附口 下表面 吸附 本实用新型 方框形结构 曝光过程 失真现象 真空接口 转印过程 字形结构 下垂 架构 图案 | ||
本实用新型涉及一种光罩弯曲校正装置及曝光机,所述光罩弯曲校正装置包括第一光罩保持架、第二光罩保持架及抽真空装置,其中,所述第一光罩保持架为方框形结构,其下表面包括多个第一吸附口,以吸附所述光罩的四周部分;所述第二光罩保持架为杆状结构且与所述第一光罩保持架构成日字形结构,所述杆状结构的下表面包括多个第二吸附口,以吸附所述光罩的中间部分;所述第一光罩保持架和所述第二光罩保持架分别包括连接至抽真空装置的真空接口。该光罩弯曲校正装置设置有第一光罩保持架和第二光罩保持架,能够很大程度上减少曝光过程中光罩自身重力导致的下垂,避免光罩上的图案在转印过程中发生失真现象。
技术领域
本实用新型属于电路板制作技术领域,具体涉及一种光罩弯曲校正装置及曝光机。
背景技术
印制电路板,又称印刷电路板,是电子元器件电气连接的提供者。它的设计主要是版图设计,而曝光是印制电路板中的一道关键工序。曝光时汞灯发出的光经调整后入射到光罩表面,再经光学调整装置照射到基板表面,从而将光罩上的图案转印到基板上。一般情况下,光罩放置在光罩台上,由于自身重力作用,光罩会产生一定的弯曲下垂,而下垂会使得曝光时光罩上的图案转印到基板上时发生失真现象。
针对光罩下垂弯曲的现象,现有的解决方案是设置光罩弯曲校正装置,一般为分体式设计,即,光罩和光罩弯曲校正装置为两个单独的构件,光罩弯曲校正装置作为曝光机组成部件,设置在光罩上方,对光罩进行提升和吸附。
请参见图1,图1是现有技术的一种光罩弯曲校正装置的结构示意图。该光罩弯曲校正装置为一种光罩保持器1,设置在光罩2的四周,能够对光罩2的四周进行一定的吸附,但由于自身重力作用,光罩2的中心位置还是会产生一定的下垂,影响产品精度。请参见图2,图2是现有技术的另一种光罩弯曲校正装置的结构示意图。该光罩弯曲校正装置3与光罩2之间形成密封单元,从而形成一个真空负压室4,通过抽真空使得真空负压室4产生负压,对光罩2产生一个向上的吸附力,对光罩2的下垂量进行补正,但是,该补正装置结构复杂,在每次更换光罩之后都需要对真空负压室进行抽真空,比较耗时且成本较高。
实用新型内容
为了解决现有技术中存在的上述问题,本实用新型提供了一种光罩弯曲校正装置及一种曝光机。本实用新型要解决的技术问题通过以下技术方案实现:
本实用新型的一个方面提供了一种光罩弯曲校正装置,包括第一光罩保持架、第二光罩保持架以及抽真空装置,其中,
所述第一光罩保持架为方框形结构,所述方框形结构的下表面包括多个第一吸附口,以吸附所述光罩的四周部分;
所述第二光罩保持架为杆状结构且与所述第一光罩保持架构成日字形结构,所述杆状结构的下表面包括多个第二吸附口,以吸附所述光罩的中间部分;
所述多个第一吸附口和所述多个第二吸附口设置在同一平面上;
所述第一光罩保持架和所述第二光罩保持架均包括真空接口,所述第一吸附口和所述第二吸附口分别通过所述真空接口连接至所述抽真空装置。
在本实用新型的一个实施例中,所述第一光罩保持架和所述第二光罩保持架的内部均包括真空腔,所述真空接口开设在所述真空腔的侧壁,所述第一吸附口或所述第二吸附口开设在所述真空腔的下壁。
在本实用新型的一个实施例中,所述光罩弯曲校正装置还包括支撑杆,所述第二光罩保持架安装在所述支撑杆的下表面上,使得所述第一吸附口和所述第二吸附口处于同一平面上。
在本实用新型的一个实施例中,所述第二光罩保持架的上表面与所述支撑杆的下表面相粘合或者焊接结合。
在本实用新型的一个实施例中,所述支撑杆架设在所述第一光罩保持架上,且平行于所述第一光罩保持架的一侧。
在本实用新型的一个实施例中,所述光罩弯曲校正装置还包括驱动装置,所述驱动装置电连接至所述支撑杆,以驱动所述支撑杆移动。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备