[发明专利]真空处理装置、真空处理系统和真空处理方法

权利要求书

1.一种真空处理装置，其对配置于真空气氛的处理空间的基片供给处理气体以进行真空处理，所述真空处理装置的特征在于，包括：

用于输送所述基片的第一输送空间和第二输送空间，其形成在进行所述真空处理的处理容器内的彼此相邻的位置，并且各自从形成于所述处理容器的侧面的送入送出口在水平方向延伸设置；和

沿所述延伸设置方向形成于所述第一输送空间与第二输送空间之间的中间壁部，

在所述第一输送空间沿所述延伸设置方向配置1个以上的所述处理空间，在所述第二输送空间沿所述延伸设置方向配置2个以上的所述处理空间，

在所述中间壁部内形成有：对隔着该中间壁部配置的3个以上的处理空间分别设置的排气通路；和合流排气通路，所述排气通路在其中合流。

2.如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于：

在所述第一输送空间、第二输送空间分别配置2个处理空间，从上方侧观察时，该4个处理空间以包围所述合流排气通路的方式180°旋转对称地配置。

3.如权利要求1或2所述的真空处理装置，其特征在于：

所述合流排气通路在上下方向延伸设置，所述排气通路各自以将形成于中间壁部的排气口与所述合流排气通路连接的方式设置，其中所述中间壁部位于所述处理空间的外方侧。

4.如权利要求3所述的真空处理装置，其特征在于：

在各所述处理空间与排气口之间设置有：在该处理空间的侧周部沿周向形成的缝隙状的缝隙排气口；和用于使从该缝隙排气口排出的处理气体向所述排气口流通的流通通路。

5.如权利要求1至4中任一项所述的真空处理装置，其特征在于：

所述处理空间形成在载置基片的载置台与向该处理空间供给处理气体的气体供给部之间，其中所述气体供给部具有与该载置台相对配置的相对面。

6.如权利要求5所述的真空处理装置，其特征在于：

包括气体分配通路，其用于将从共用的气体供给通路供给的处理气体分配到各处理空间的气体供给部，

经由气体分配通路、气体供给部、处理空间和排气通路至合流排气通路为止的各处理气体路径形成为对从气体供给通路分配的处理气体的流导彼此相同。

7.一种真空处理系统，其特征在于，包括：

真空输送单元，其包括：真空输送室；和基片输送机构，其配置在该真空输送室内，设置有用于输送基片的基片保持部；

权利要求1至6中任一项所述的真空处理装置，其与所述真空输送室连接，经由所述送入送出口使所述基片保持部进入第一输送空间、第二输送空间，由此能够在所述真空输送室与处理空间之间输送基片；

送入送出端口，其能够载置收纳作为处理对象的基片的输送容器；和

在所述输送容器与所述真空输送单元之间送入、送出基片的送入送出单元。

8.如权利要求7所述的真空处理系统，其特征在于：

所述基片输送机构包括：

第一基片保持部，其在进入所述第一输送空间后，将基片保持在与该第一输送空间内的处理空间的各配置位置对应的位置；和

第二基片保持部，其在进入所述第二输送空间后，将基片保持在与该第二输送空间内的处理空间的各配置位置对应的位置。

9.如权利要求8所述的真空处理系统，其特征在于：

所述基片输送机构使所述第一基片保持部、第二基片保持部同时分别进入所述第一输送空间、第二输送空间来输送基片。

10.一种真空处理方法，其对配置于真空气氛的处理空间的基片供给处理气体以进行真空处理，所述真空处理方法的特征在于，包括：

对进行所述真空处理的处理容器内送入基片，将基片收纳在所述各处理空间的步骤，其中，所述处理容器包括：用于输送所述基片的第一输送空间和第二输送空间，其形成在处理容器内的彼此相邻的位置，并且各自从形成于所述处理容器的侧面的送入送出口在水平方向延伸设置；和沿所述延伸设置方向形成于所述第一输送空间与第二输送空间之间的中间壁部，在所述第一输送空间沿所述延伸设置方向配置1个以上的所述处理空间，在所述第二输送空间沿所述延伸设置方向配置2个以上的所述处理空间，

对收纳有所述基片的各处理空间供给处理气体的步骤；和

使用对在所述中间壁部内形成并隔着该中间壁部配置的3个以上的处理空间分别设置的排气通路和所述排气通路在其中合流的合流排气通路，排出供给到所述各处理空间的处理气体的步骤。