[发明专利]高分辨率Micro-OLED的制备方法以及显示模组

权利要求书

1.一种高分辨率Micro-OLED的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：提供一衬底基板，在所述衬底基板上制备发光像素层；

S2：采用薄膜封装技术，对所述发光像素层进行封装，形成薄膜封装层；

S3：采用旋转涂覆技术、光刻技术，将色阻材料、UV光敏固化材料混合后涂覆在所述薄膜封装层上，并进行烘烤和固化，以形成彩色滤光层；

S4：对所述彩色滤光层进行盖板封装，以获得高分辨率的Micro-OLED。

2.如权利要求1所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法，其特征在于，所述步骤S3包括如下步骤：

S31：采用旋转涂覆技术，将色阻材料、UV光敏固化材料混合后，涂覆在所述薄膜封装层上，以形成光刻层；

S32：对所述光刻层，以第一温度进行第一次烘烤，所述第一温度小于100℃；

S33：对所述光刻层进行曝光、显影；

S34：对所述光刻层，以第二温度进行第二次烘烤和固化，以获得所述彩色滤光层，所述第二温度小于100℃。

3.如权利要求2所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法，其特征在于：所述第一温度和第二温度均为90℃。

4.如权利要求2所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法，其特征在于：所述第二次烘烤和固化的时间之和小于15分钟。

5.如权利要求2所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法，其特征在于，所述步骤S34中的固化步骤为：利用紫外光照射所述光刻层，以使得所述UV光敏固化材料固化。

6.如权利要求5所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法，其特征在于：所述步骤S34中紫外光的曝光能量不大于15焦耳。

7.如权利要求1所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括如下步骤：

S11：提供一衬底基板，在所述衬底基板上制备若干规则排列的过孔；

S12：采用自对准工艺，在所述衬底基板上蒸镀阳极层，所述阳极层包括与所述过孔一一对应的阳极单元；

S13：在所述阳极层的表面蒸镀OLED发光层；

S14：在所述OLED发光层的表面蒸镀阴极层，以形成所述发光像素层。

8.如权利要求7所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法，其特征在于：所述OLED发光层包括有机发光层、位于阳极层与有机发光层之间的空穴注入层和空穴传输层以及位于阴极层与有机发光层之间的电子注入层和电子传输层。

9.如权利要求1所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法，其特征在于：所述彩色滤光层包括第一彩色滤光片、第二彩色滤光片以及第三彩色滤光片，且相邻的彩色滤光片之间的距离为8微米。

10.一种高分辨率Micro-OLED显示模组，包括高分辨率Micro-OLED层以及与高分辨率Micro-OLED层电性连接的薄膜晶体管阵列，其特征在于：所述高分辨率Micro-OLED层采用权利要求1～9中任意一项所述的高分辨率Micro-OLED的制备方法制成。