[发明专利]一种LED芯片、显示模块及显示屏有效
申请号: | 202010960392.1 | 申请日: | 2020-09-14 |
公开(公告)号: | CN112054102B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 胡现芝;刘权锋;王印;卢敬权 | 申请(专利权)人: | 东莞市中晶半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/48;H01L33/62;H01L25/075;H01L27/15;G09F9/302;G09F9/33 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 胡素莉 |
地址: | 523000 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 芯片 显示 模块 显示屏 | ||
本发明公开了一种LED芯片、显示模块及显示屏,LED芯片包括:电流局域注入层,用于使有效发光区面积与LED芯片发光区面积的比值小于预设值;有效发光区位于LED芯片的中心,LED芯片发光区周围非电极区域的外延层根据有效发光区的形状塑形。通过设置电流局域注入层,以控制有效发光区面积与LED芯片发光区面积的比值小于预设值,以保证芯片发光亮度的同时使得LED芯片工作在线性区域;并且,有效发光区位于LED芯片的中心,LED芯片发光区周围非电极区域的外延层根据有效发光区的形状塑形,以使有效发光区尽可能地远离衬底边沿,从而减少LED芯片侧向出光,简化后端LED显示模块、显示屏应用的设计及工艺复杂性。
技术领域
本发明属于LED技术领域,尤其涉及一种LED芯片、显示模块及显示屏。
背景技术
在LED芯片的应用中,普通LED芯片的应用主要以照明与显示器背光模块为主,而当前迅猛发展的Mini LED芯片则以户内、户外显示屏等为其主要应用方向。
在当前的LED芯片中,其设计绝大部分基于照明应用,如采用图形化衬底、分布式布拉格反射层等,当前使用的Mini LED芯片亦是使用同类设计。此类型芯片应用于照明或背光领域不存在任何问题,但应用于显示领域,则存在着重大缺陷:
1、亮度过大影响显示屏舒适度。为了使得LED芯片发光亮度较为合适,现有解决方案是应用小电流驱动LED芯片。当显示较暗图形时,LED芯片容易工作于小电流密度非线性区,而在此工作区中,LED芯片亮度不一,给点测分选、显示屏的校正带来了较大困难,如分选工作量大、校正时间长、显示屏低辉一致性差等。另外,如果芯片发光亮度过大,应用于LED显示模块时,芯片表面还需覆盖较厚的黑色膜层,以使芯片出光亮度位于人眼舒适区。覆盖黑色膜层,不仅增加LED显示模块的工艺复杂性,还存在黑色膜层厚度不一致带来的墨色一致性的问题。
2、侧光影响显示屏显示效果。从芯片侧面发射的光线在显示屏内部各组件间来回反射或折射,形成方向及强度各异的杂散光,影响显示屏的对比度。特别大视角时,侧光混光不均形成分布、大小各异的混色暗斑。
发明内容
本发明的目的在于提供一种LED芯片、显示模块及显示屏,以克服上述缺陷。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
第一方面,本发明提供了一种LED芯片,包括:
电流局域注入层,所述电流局域注入层用于使有效发光区面积与LED芯片发光区面积的比值小于预设值,有效发光区位于LED芯片的中心,LED芯片发光区周围非电极区域的外延层根据有效发光区的形状塑形。
可选地,LED芯片还包括:
N型半导体层,所述N型半导体层之上有第二底层电极,所述第二底层电极连接有第二外层电极;
发光层,所述发光层位于所述N型半导体层之上;
P型半导体层,所述P型半导体层位于所述发光层之上,所述电流局域注入层位于所述P型半导体层之上,所述电流局域注入层和所述P型半导体层之上还有第一底层电极,所述第一底层电极连接有第一外层电极;
其中,所述发光层为所述LED芯片发光区,所述有效发光区为所述发光层上与所述电流局域注入层正对的部分。
可选地,所述电流局域注入层为透明导电层,所述透明导电层与所述P型半导体层欧姆接触。
可选地,所述透明导电层为氧化铟锡ITO。
可选地,所述电流局域注入层为欧姆接触层,所述欧姆接触层与所述P型半导体层欧姆接触。
可选地,所述欧姆接触层为金属层。
可选地,所述第一底层电极与所述P型半导体层非欧姆接触。
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