[发明专利]从含金属抗蚀剂去除边缘珠的组合物及包括使用组合物去除边缘珠的步骤的形成图案的方法在审
申请号: | 202210794402.8 | 申请日: | 2022-07-07 |
公开(公告)号: | CN115598942A | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
发明(设计)人: | 李旻映;文炯朗;许伦旼;金旼秀;金荣权;金宰贤;禹昌秀;崔正敏;高武铉;金贞儿;都星安;裵相元;韩勋;洪锡九 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社;三星电子株式会社 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 曲在丹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 抗蚀剂 去除 边缘 组合 包括 使用 步骤 形成 图案 方法 | ||
1.一种用于从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物,包含
有机溶剂,以及
被至少一个羟基(-OH)取代的七角环化合物,
其中,所述七角环化合物在所述环中具有至少两个双键。
2.根据权利要求1所述的组合物,其中,
所述七角环化合物被一个或两个羟基(-OH)取代。
3.根据权利要求1所述的组合物,其中,
所述七角环化合物具有三个双键。
4.根据权利要求1所述的组合物,其中,
所述七角环化合物由化学式1表示:
[化学式1]
其中,在化学式1中,
R1至R6各自独立地是氢、卤素、羟基、氨基、取代或未取代的C1至C30胺基、取代或未取代的C1至C10烷基、或取代或未取代的C6至C20芳基,并且
R1至R6中的至少一个是羟基。
5.根据权利要求1所述的组合物,其中,
所述七角环化合物选自第1组的化学式:
[第1组]
其中,在第1组中,
R1至R6各自独立地是氢、卤素、氨基、取代或未取代的C1至C30胺基、取代或未取代的C1至C10烷基、或取代或未取代的C6至C20芳基。
6.根据权利要求1所述的组合物,其中,
所述七角环化合物为2-羟基-2,4,6-环庚三烯-1-酮。
7.根据权利要求1所述的组合物,其中,
所述组合物包含50wt%至99.99wt%的所述有机溶剂;以及
0.01wt%至50wt%的所述七角环化合物。
8.根据权利要求1所述的组合物,其中,
包含在所述含金属的抗蚀剂中的金属化合物包括烷基锡氧代基团和烷基锡羧基中的至少一个。
9.根据权利要求1所述的组合物,其中,
包含在所述含金属的抗蚀剂中的所述金属化合物由化学式3表示:
[化学式3]
其中,在化学式3中,
R7是取代或未取代的C1至C20烷基、取代或未取代的C3至C20环烷基、取代或未取代的C2至C20烯基、取代或未取代的C2至C20炔基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C6或C30芳烷基、或-Ra-O-Rb,其中,Ra是取代或未取代的C1至C20亚烷基并且Rb是取代或未取代的C1至C20烷基,
R8至R10各自独立地是-ORc或-OC(=O)Rd,
Rc是取代或未取代的C1至C20烷基、取代或未取代的C3至C20环烷基、取代或未取代的C2至C20烯基、取代或未取代的C2至C20炔基、取代或未取代的C6至C30芳基或它们的组合,并且
Rd是氢、取代或未取代的C1至C20烷基、取代或未取代的C3至C20环烷基、取代或未取代的C2至C20烯基、取代或未取代的C2至C20炔基、取代或未取代的C6至C30芳基或它们的组合。
10.一种形成图案的方法,包括:
将含金属的抗蚀剂组合物涂覆在基板上;
沿所述基板的边缘涂覆上述权利要求1至权利要求9中任一项所述的用于从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物;
干燥和加热经涂覆后的所得物,以在所述基板上形成含金属的抗蚀剂膜;以及
曝光和显影经干燥和加热后的所得物,以形成抗蚀剂图案。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,
所述方法进一步包括在曝光和显影之后沿着所述基板的边缘涂覆所述用于从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物。
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