[发明专利]半导体结构及其制作方法、存储器系统

说明书

本公开实施例公开了一种半导体结构，包括：有源柱阵列，包括呈阵列排布的第一有源柱和第二有源柱，第一有源柱和第二有源柱均包括沟道区以及分别位于沟道区沿第一方向相对两端的第一有源区和第二有源区；第一有源区在第一平面的投影面积大于沟道区在第一平面的投影面积；和/或，第二有源区在第一平面的投影面积大于沟道区在第一平面的投影面积；第一存储结构，位于有源柱阵列的第一侧，与第一有源柱的第一有源区电连接；第二存储结构，位于有源柱阵列的第二侧，与第二有源柱的第二有源区电连接；第一位线，位于有源柱阵列的第二侧，与第一有源柱的第二有源区连接；第二位线，位于有源柱阵列的第一侧，与第二有源柱的第一有源区连接。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种半导体结构及其制作方法、存储器系统。

背景技术

动态随机存取存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)的存储阵列架构是由包括一个晶体管和一个电容器的存储单元(即1T1C的存储单元)组成的阵列。晶体管的栅极与字线相连，漏极与位线相连，源极与电容器相连。

随着动态随机存取存储器的尺寸不断缩小，晶体管的尺寸不断缩小。如何形成存储容量较大、尺寸较小且性能较高的动态随机存取存储器，成为亟待解决的问题。

公开内容

本公开实施例提出一种半导体结构及其制作方法、存储器系统。

根据本公开的一个方面，提供了一种半导体结构的制作方法，包括：

形成有源柱阵列，所述有源柱阵列包括呈阵列排布的第一有源柱和第二有源柱，所述第一有源柱和所述第二有源柱均包括沟道区以及分别位于所述沟道区沿第一方向相对两端的第一有源区和第二有源区；所述第一有源区在第一平面的投影面积大于所述沟道区在所述第一平面的投影面积；和/或，所述第二有源区在所述第一平面的投影面积大于所述沟道区在所述第一平面的投影面积；所述第一方向为所述沟道区延伸的方向，所述第一平面与所述第一方向垂直；

在所述有源柱阵列的第一侧分别形成第二位线以及第一存储结构；所述第二位线与所述第二有源柱的第一有源区连接，所述第一存储结构与所述第一有源柱的第一有源区电连接；

在所述有源柱阵列的第二侧分别形成第一位线以及第二存储结构；所述第一位线与所述第一有源柱的第二有源区连接，所述第二存储结构与所述第二有源柱的第二有源区电连接；所述第一侧以及所述第二侧为所述有源柱阵列沿所述第一方向相对的两侧。

上述方案中，所述形成有源柱阵列，包括：

形成初始有源柱阵列，所述初始有源柱阵列包括沿第二方向和第三方向呈阵列排布的初始第一有源柱和初始第二有源柱；所述初始第一有源柱和所述初始第二有源柱均包括沿第一方向依次层叠排布的底部、中部、顶部；所述第二方向与所述第三方向相交且均与所述第一方向垂直。

上述方案中，所述形成有源柱阵列，还包括：

去除所述顶部，形成第一凹槽；

沿所述第二方向和/或所述第三方向对所述第一凹槽进行扩大处理，形成第二凹槽；

在所述第二凹槽中形成所述第一有源区。

上述方案中，所述形成有源柱阵列，还包括：

去除所述底部，形成第三凹槽；

沿所述第二方向和/或所述第三方向对所述第三凹槽做扩大处理，形成第四凹槽；

在所述第四凹槽中形成所述第二有源区。

上述方案中，所述第一有源柱和所述第二有源柱构成沿所述第二方向排布的若干列有源柱和沿所述第三方向排布的若干行有源柱，每一行有源柱均包括交替排布的所述第一有源柱和所述第二有源柱，每一列有源柱均包括第一有源柱或第二有源柱。