[发明专利]数据记录介质、数据记录/复制方法及数据记录系统无效
申请号: | 02129754.1 | 申请日: | 2002-08-13 |
公开(公告)号: | CN1409311A | 公开(公告)日: | 2003-04-09 |
发明(设计)人: | 柳寅儆;崔原凤;辛铉正 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11B9/10 | 分类号: | G11B9/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李晓舒,魏晓刚 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种数据记录/复制方法、采用该方法的数据记录系统以及用于该系统的介质。该方法包括步骤制备具有数据记录层的介质,在该层中通过电子吸收产生相变;在离数据记录层预定间隔处,根据用于记录的数据,用电子发生源产生电子;在电子路径上形成磁场,并回旋加速移动电子;以及将回旋移动的电子发射到数据记录层上,以通过电子被数据记录层吸收而导致的局部熔化和冷却进行数据记录。在电子束碰撞数据记录层时微型尖端不接触数据记录层,因此不象传统AFM方法那样因微型尖端的消耗而造成损坏,且数据记录和复制速度快。电子束通过回旋加速汇聚到数据记录层上,于是可适当调节距离而使电子束到达的区域最小,使得数据记录密度最大。 | ||
搜索关键词: | 数据 记录 介质 复制 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种数据记录方法,包括以下步骤:制备具有数据记录层的介质,在该数据记录层中通过电子吸收而产生相变;在与数据记录层分隔预定间隔的位置处,根据用于记录的数据,利用电子发生源产生电子;在电子的路径上形成磁场,并回旋加速移动电子;以及将回旋加速移动的电子发射到数据记录层上,并通过电子被数据记录层吸收而导致的局部熔化和冷却进行数据记录。
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