[发明专利]成膜方法及使用该方法制造的器件、和器件的制造方法有效
| 申请号： | 03120581.X | 申请日： | 2003-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1445820A | 公开（公告）日： | 2003-10-01 |
| 发明（设计）人： | 森义明;宫川拓也;佐藤充;足助慎太郎;高木宪一 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/31;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可削减制造成本的掩膜形成方法,是一种在被处理部件的表面形成规定图形覆膜的方法，该方法由改善图形材料溶液对被处理部件的密接性的工序(S178)；向设置在被处理部件表面的掩膜中的图形形成用凹部填充图形材料溶液的工序(S180)；通过处理图形材料溶液，改善应形成的图形覆膜膜质的工序(S186)；去除附着在掩膜上的图形材料溶液的工序(S188)；使图形材料溶液干燥的工序(S190)；和退火处理图形覆膜的工序(S196)而构成。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 使用 制造 器件 | ||
【主权项】：
1、一种成膜方法，是一种在被处理部件的表面上形成规定图形的覆膜的方法，其特征在于：在洗净上述被处理部件后，进行向设置在上述被处理部件表面掩膜中的图形形成用凹部内填充图形材料溶液的工序。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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