[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 03155592.6 | 申请日： | 2003-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1487592A | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | 山内淳;青木伸俊 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L29/772;H01L21/22;H01L21/24 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有半导体层的半导体器件，包括：具有比半导体层的半导体组分原子的共价键最小半径大的共价键半径的第一杂质原子；和具有比半导体组分原子的共价键最大半径小的共价键半径的第二杂质原子；其中第一和第二杂质原子被排列在最近邻晶格位置处并且第一和第二杂质原子中的至少一种是电活性的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有半导体层的半导体器件，包括：具有比半导体层的半导体组分原子的共价键最小半径大的共价键半径的第一杂质原子；以及具有比半导体组分原子的共价键最大半径小的共价键半径的第二杂质原子；其中第一和第二杂质原子排列在最近邻晶格位置上，并且第一和第二杂质原子中的至少一种是电活性的。
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- 半导体装置以及半导体装置的制造方法-201480075197.3
- 高谷秀史;斋藤顺;添野明高;滨田公守;水野祥司;青井佐智子;渡辺行彦 - 丰田自动车株式会社
- 2014-10-06 - 2019-05-10 - H01L29/12
- 一种半导体装置，具有：终端沟槽，其围绕形成有多个栅极沟槽的区域的周围一周；下端p型区，其为p型，并与终端沟槽的下端相接；外周p型区，其为p型，并从外周侧与终端沟槽相接，且露出于半导体基板的表面；多个保护环区，其为p型，并被形成在与外周p型区相比靠外周侧，且露出于半导体基板的表面；外周n型区，其为n型，并使外周p型区与多个保护环区分离，且使多个保护环区相互分离。
- 薄膜晶体管及制备方法和交互式显示装置-201610670245.4
- 梁凌燕;谢玉芳;曹鸿涛 - 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 2016-08-15 - 2019-01-11 - H01L29/12
- 本发明公开了一种薄膜晶体管及制备方法和交互式显示装置，其中，薄膜晶体管包括衬底、栅电极层、栅介质层、沟道层、源电极层和漏电极层；其中，沟道层为锌锡氮氧薄膜；锌锡氮氧薄膜的化学式为：ZnaSnbNyOz。其通过采用化学式为ZnaSnbNyOz的锌锡氮氧薄膜作为沟道层，相较于传统的铟镓锌氧薄膜晶体管来说，锌锡氮氧薄膜中的元素不包含稀有元素，这就使得薄膜晶体管的生产成本能够大大降低。并且，由于锌锡氮氧薄膜具有较高的迁移率和较窄的带隙，开启速度快且能对包括可见光波长范围内光子具有较高的光响应电流，因此其可以同时作为交互式显示装置的显示单元和光传感单元的核心元件。
- 一种双材料氧化层结构的黑磷场效应管-201810258143.0
- 沈志豪;赵剑飞;江斌;王伟 - 南京邮电大学
- 2018-03-27 - 2018-08-21 - H01L29/12
- 本发明公开了一种双材料氧化层结构的黑磷场效应管，包括导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、源极、漏极、栅极；栅极氧化层位于导电沟道、源区、漏区外，栅极氧化层包括高介电常数栅极氧化层和低介电常数栅极氧化层；高介电常数栅极氧化层位于源区及导电沟道靠近源区的部分外；低介电常数栅极氧化层位于漏区及导电沟道靠近漏区的部分外。本发明与具有低介电常数的传统黑磷场效应管相比，具有更高的I on/I off比、跨导、移动电荷和平均速度；与具有高介电常数的传统黑磷场效应管相比，具有更低的量子电容，更小的固有延迟时间和更短的功率延迟。
- 一种聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件及其制备方法-201810133499.1
- 李昱材;张东;赵琰;王健;宋世巍;王刚;丁艳波;王晗;刘莉莹 - 沈阳工程学院
- 2018-02-09 - 2018-08-07 - H01L29/12
- 一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构及其制备方法，属于薄膜制备技术领域。所述异质结构是在苯二甲酸乙二酯衬底层上依次制备第一AZO透明导电薄膜、SnO2材料层、VO2材料层、第二AZO透明导电薄膜及抗腐蚀保护层。本发明以苯二甲酸乙二酯材料衬底基片，采用SnO2作为缓冲层，VO2/SnO2异质结构结合，采用AZO作为透明导电电极，最后蒸镀耐腐蚀的TiN材料，可以制备出高质量廉价的器件；同时，该制备工艺简单，可实现规模生产。
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