[发明专利]无晶钻石材料及其使用和制造方法无效
| 申请号： | 200480022995.6 | 申请日： | 2004-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1836303A | 公开（公告）日： | 2006-09-20 |
| 发明（设计）人： | 宋健民 | 申请（专利权）人： | 宋健民 |
| 主分类号： | H01J1/14 | 分类号： | H01J1/14;H01J1/16;H01J1/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种无晶钻石电子发生器具有一至少部分被无晶钻石材料(5)覆盖的阴极(25)，和一结合在该阴极(25)和一阳极间(30)的中间构件(55)。该无晶钻石材料(5)包括至少大约90％的碳原子，该碳原子中有至少大约20％键结在扭曲四面体中。无晶钻石被覆层(5)有一与阴极(25)的一基板相接触的能量输入表面(10)，和一与该能量输入表面相对的一电子发射表面(15)。该电子发射表面(15)的粗糙度为大约10至大约1,000nm，且当一充足的能量输入时能够发射电子。该中间构件(55)能够被耦合至该无晶钻石被覆层(5)的电子发射表面(15)，以致于该中间构件(55)的材料的热传导率低于大约100W/mK及电阻率在20℃时低于大约80μΩ－cm。该无晶钻石电子发生器是一种具有改进电子发射特性的热电子发射设备。 | ||
| 搜索关键词： | 钻石 材料 及其 使用 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种无晶钻石电子发生器，其包括：一阴极，具有一基板，该基板上至少有一部分被一无晶钻石材料被覆层所被覆，该无晶钻石材料包括至少大约90％的碳原子，该碳原子中有至少大约20％以扭曲四面体配位键结，该钻石被覆层上形成有一与该基板接触的能量输入表面，且形成有一相对于能量输入表面的电子发射表面，该电子发射表面具上形成有多数突出部而形成一粗糙面，该等突出部高度有大约10至大约1,000纳米，当一充分能量输入到无晶钻石材料内部时，该电子发射表面可发射电子；一中间构件，耦合至该无晶钻石被覆层的电子发射表面，该中间构件包括一材料具有低于大约100W/mK的热传导率及在20℃时低于大约80μΩ-cm的电阻率；及一阳极，耦合至该中间构件并与无晶钻石被覆层相对。
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- 2006-05-25 - 2006-12-06 - H01J1/14
- 本发明涉及一种电极材料，其具有内壁面设置荧光体层且内部封入稀有气体及水银的玻璃管和配置于该玻璃管内的两端的一对电极，其中，由如下的Ni合金构成电极，该Ni合金含有合计大于或等于0.001质量％以上、小于或等于5.0质量％的、从由Ti、Hf、Zr、V、Fe、Nb、Mo、Mn、W、Sr、Ba、B、Th、Be、Si、Al、Y、Mg、In、稀土类元素构成的基准组中选择的至少一种元素，剩余部分由Ni以及杂质构成。由于该电极不是由Ni单质，而是由上述组成的Ni合金构成，因而可以提高放电性、耐氧化性、耐溅射性、与水银的耐反应性，实现高亮度化、长寿命化。
- 无晶钻石材料及其使用和制造方法-200480022995.6
- 宋健民 - 宋健民
- 2004-06-09 - 2006-09-20 - H01J1/14
- 本发明提供了一种无晶钻石电子发生器具有一至少部分被无晶钻石材料(5)覆盖的阴极(25)，和一结合在该阴极(25)和一阳极间(30)的中间构件(55)。该无晶钻石材料(5)包括至少大约90％的碳原子，该碳原子中有至少大约20％键结在扭曲四面体中。无晶钻石被覆层(5)有一与阴极(25)的一基板相接触的能量输入表面(10)，和一与该能量输入表面相对的一电子发射表面(15)。该电子发射表面(15)的粗糙度为大约10至大约1,000nm，且当一充足的能量输入时能够发射电子。该中间构件(55)能够被耦合至该无晶钻石被覆层(5)的电子发射表面(15)，以致于该中间构件(55)的材料的热传导率低于大约100W/mK及电阻率在20℃时低于大约80μΩ－cm。该无晶钻石电子发生器是一种具有改进电子发射特性的热电子发射设备。
- 电子发射材料和使用该材料的电子发射元件-200480011314.6
- 柴田元司;出口正洋;田尾本昭;尾崎丰一 - 松下电器产业株式会社
- 2004-12-17 - 2006-05-31 - H01J1/14
- 本发明提供降低功函数的电子发射材料，以及与现有相比实现低电能消耗化及/或高电流密度化的电子发射特性优良的电子发射元件。该电子发射材料包括：表面上具有原子台阶及在相邻的两个所述原子台阶之间具有平坦部的半导体基体；和所述平坦部上配置的吸附层，吸附层含有选自碱金属元素、碱土类金属元素及Sc中的至少一种元素。
- 专利分类
