[发明专利]贴合晶圆制造方法、贴合晶圆及平面磨削装置无效
申请号: | 200680010786.9 | 申请日: | 2006-03-29 |
公开(公告)号: | CN101151713A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | 冈部启一;立川胜一;宫崎进;吉泽重幸;武井时男 | 申请(专利权)人: | 信越半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B7/20;B24B49/04;B24B49/12 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种贴合晶圆的制造方法,其中通过将成为支持衬底的基底晶圆与硅单晶所构成的结合晶圆隔着绝缘膜贴合或直接贴合来形成贴合晶圆之后,将上述结合晶圆薄化,而在上述基底晶圆上形成由硅单晶构成的薄膜。上述贴合晶圆的制造方法特征在于,其中结合晶圆的薄化是一边测定上述结合晶圆的厚度一边至少借助平面磨削来进行的,而当上述结合晶圆的厚度达到目标厚度时,停止上述结合晶圆的平面磨削。因此提供了用以提供具有高精度所需膜厚的硅单晶薄膜的贴合晶圆制造方法、贴合晶圆以及能制成具有高精度所需膜厚的硅单晶薄膜的平面磨削装置。 | ||
搜索关键词: | 贴合 制造 方法 平面 磨削 装置 | ||
【主权项】:
1.一种贴合晶圆的制造方法,其特征为:将成为支持衬底的基底晶圆与硅单晶所构成的结合晶圆隔着绝缘膜贴合或是直接贴合而形成贴合晶圆之后,将上述结合晶圆薄化,而在上述基底晶圆上形成硅单晶所构成的薄膜的贴合晶圆的制造方法,其中上述结合晶圆的薄化是一边测定上述结合晶圆的厚度一边至少借助平面磨削来进行的,而当上述结合晶圆的厚度达到目标厚度时,停止上述结合晶圆的平面磨削。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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