[发明专利]半导体器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710152912.0 申请日: 2007-09-21
公开(公告)号: CN101150105A 公开(公告)日: 2008-03-26
发明(设计)人: 田边学;藤本博昭 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/49;H01L25/00;H01L25/065;H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 沈昭坤
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在本发明的半导体器件中,将在半导体芯片2的一个主面上形成的多个电极3与配置在前述半导体芯片2的周围的导体部的内部端子4连接、并互相上下配置的丝5a、5b、5c内,对于最下面位置的丝5a采用刚性最小的丝,对于上面位置的丝5b、5c采用刚性更大的丝。通过这样,能够消除金属细丝彼此之间的接触,提高合格率。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,利用金属细丝,电连接形成在半导体芯片的一个主面上的多个电极与配置在所述半导体芯片的周围的多个导体部的内部端子,所述半导体芯片及金属细丝被树脂封装,其特征在于,在将所述半导体芯片的电极与所述导体部的内部端子连接、并且互相上下配置的多个金属细丝中,最下面的金属细丝的刚性最小。
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