[发明专利]监测光刻质量的方法无效

专利信息
申请号: 200810044125.9 申请日: 2008-12-17
公开(公告)号: CN101750875A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 陈福成;吴鹏;阚欢 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: G03F1/14 分类号: G03F1/14;G03F7/20
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 张骥
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种监测光刻质量的方法,通过以下步骤进行监测:第一步,设置特征图形;在光刻工艺层中设置多个特征图形,所述光刻工艺层包括多种不同的衬底,每种衬底上分别放置有特征图形;两种不同衬底的交界处放置有特征图形;第二步,监测光刻质量;所述多个特征图形同时进行监测,通过比对各特征图形与各特征图形所在处的光刻图案之间的差异情况,监测光刻机台在特定光刻工艺层的曝光焦距和工艺窗口的情况。所述特征图形的样式包括所有线宽的测量结构式样及芯片的设计式样,所述线宽包括设计规则的线宽测量结构和亚设计规则的线宽测量结构。本发明能够简单、准确、有效地监测光刻机台在特定的工艺光刻工艺层的光刻工艺窗口。
搜索关键词: 监测 光刻 质量 方法
【主权项】:
一种监测光刻质量的方法,其特征在于:通过以下步骤进行监测:第一步,设置特征图形;在光刻工艺层中设置多个特征图形,所述光刻工艺层包括多种不同的衬底,每种衬底上分别放置有特征图形;两种不同衬底的交界处放置有特征图形;第二步,监测光刻质量;通过比对各特征图形与各特征图形所在处的光刻图案之间的差异情况,监测光刻机台在特定光刻工艺层的曝光焦距和工艺窗口的情况。
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