[发明专利]具有杂质捕集区域的硅晶圆及其制造方法无效
| 申请号： | 200810147017.4 | 申请日： | 2008-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101649492A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 徐文庆;何思桦;王荣宗;许松林;郭华皓 | 申请（专利权）人： | 昆山中辰硅晶有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B33/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人： | 孙 刚 |
| 地址： | 215300江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有杂质捕集区域的硅晶圆及其制造方法。根据本发明的硅晶圆包含一硅切片及一第一杂质捕集区域。该硅切片具有一第一表面。该第一杂质捕集区域形成于该硅切片的该第一表面上，并且通过在该硅切片的该第一表面之上的一处理形成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 杂质 区域 硅晶圆 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶圆(silicon wafer)，包含：一硅切片(silicon slice)，该硅切片具有一第一表面；以及一第一杂质捕集区域(gettering region)，该第一杂质捕集区域形成于该硅切片的该第一表面上，并且由施加于该硅切片的该第一表面的一处理(treatment)形成。
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- 本发明公开了一种抗电势诱导衰减效应的晶硅表面氧化装置及其方法，用于对晶硅表面进行氧化处理，其特征在于，包括：羟基发生室(2)，内设有电解液以及浸入所述电解液中、分别与电源的正、负极连接的阳极体和阴极体，所述阳极体能够将羟基发生室(2)中部分电解液中的水分子分解成羟基和氢的自由基并混入该电解液中形成混合液；施加装置(4)，与所述羟基发生室(2)通过第一管道连通，所述第一管道上设有能够将所述羟基发生室(2)中的混合液输送到所述施加装置(4)上的第一动力装置，所述施加装置(4)能够将所述混合液施加到所述晶硅的表面。本发明通过电解水，将羟基混入电解液中形成乳化液，通过施加装置(4)，将含有羟基的乳化液直接喷淋在晶硅的上、下表面，使得晶硅的表面生成一定厚度的氧化膜，从而起到抗PID的效果。
- 一种增加蓝宝石表面能的方法-201510861760.6
- 王春生 - 苏州安洁科技股份有限公司
- 2015-12-01 - 2016-02-03 - C30B33/00
- 本发明公开了一种增加蓝宝石表面能的方法，对经过镀膜的蓝宝石进行等离子处理。与现有技术相比，本发明可以提高表面能、基本性能不受影响、省能源、无公害、时间短，处理工件变形小或无变形，工作效率高等优点。
- 多晶硅表面金属杂质含量的控制方法-201510600414.2
- 刘翠 - 新疆大全新能源有限公司
- 2015-09-21 - 2016-01-13 - C30B33/00
- 本发明公开了一种多晶硅表面金属杂质含量的控制方法，包括如下步骤：(1)将降温后的多晶硅产品进行包裹；(2)将包裹后的多晶硅产品用破碎锤破碎，管控所述破碎锤的质量；操作人员佩戴吸汗手套，所述吸汗手套外还套有防切割手套；(3)分析破碎后的多晶硅产品表面金属含量数据，当所述表面金属含量超标时进行所述破碎锤、吸汗手套和防切割手套的更换或修复。本发明多晶硅表面金属杂质含量的控制方法具有操作简单，成本低的优点。
- 一种蓝宝石粗磨后清洗装置-201510720848.6
- 杨华;王禄宝 - 江苏吉星新材料有限公司
- 2015-10-30 - 2015-12-23 - C30B33/00
- 本发明提供的一种蓝宝石粗磨后清洗装置，结构简单，设计合理，先利用第一抓取机构与第二抓取机构配合使用，将蓝宝石固定好，然后利用喷水管与光轴配合使用，在蓝宝石上来回冲洗三次，喷水口的水压保持在30-40bar，达到快速稳定的清洗效果，清洗过后的蓝宝石表面的清洁度更高，耗水量更少，环境污染较小，节约大量的水资源，缩短了整个的清洗工艺的环节，提高工作效率，无需增加任何的清洗剂等污染环境的药剂成分，只要用纯水即可，经济环保，安全可靠，成本较低，更能满足厂家的需求。
- N型单晶回收料清洗工艺-201510718841.0
- 任亚娟;任瑞峰;李燕霞 - 包头市山晟新能源有限责任公司
- 2015-10-28 - 2015-12-23 - C30B33/00
- 本发明提供了一种N型单晶硅回收料清洗工艺，包括：用乙醇清洗单晶硅回收料；用碱性清洗剂清洗所述单晶硅回收料；及用HF/HNO3混酸溶液清洗所述单晶硅回收料。本发明的N型单晶硅回收料清洗工艺，可彻底清除单晶硅回收料表面的杂质，使之达到再次回炉的质量要求，该经过清洗的回收料可以40％的比例代替原生多晶硅再次拉制N型单晶棒，这不仅降低了材料成本而且还可以大幅降低回收料库存。
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