[发明专利]多晶MgO烧结体及其制造方法以及溅射用MgO靶材无效
| 申请号： | 200980103400.2 | 申请日： | 2009-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN101925555A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 永野光芳;高巢正信;在田洋;佐野聪 | 申请（专利权）人： | 日本钨合金株式会社;宇部材料工业株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/053 | 分类号： | C04B35/053;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供MgO烧结体及其制造方法，所述MgO烧结体的烧结密度接近理论密度，机械性质及热传导率优良，能够减少由气体产生造成的气氛的污染。多晶MgO烧结体具有在施加有单向压力的面上使多个(111)面取向的独特的晶体各向异性。所述多晶MgO烧结体经由单向加压烧结粒径为1μm以下的MgO原料粉末的工序和其后在存在0.05体积％以上氧的气氛中，以1273K以上的温度热处理1分钟以上的工序而得到。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 mgo 烧结 及其 制造 方法 以及 溅射 靶材 | ||
【主权项】：
一种多晶MgO烧结体，其经由单向加压烧结MgO原料粉末的工序而得到，其中，多晶MgO烧结体中的MgO的X射线衍射得到的强度比与式(1)表示的(111)面的比率α(111)的值相关，在将施加有单向压力的面的值设为αV(111)、将与施加有单向压力的面垂直的面的值设为αH(111)时，αV(111)/αH(111)＞1.5，α(111)＝{ 0.4434(Ra)2+1.4434*Ra}...(1)在此，Ra＝I(111)/(I(111)+I(200))I(111)：MgO的(111)面的X射线衍射强度I(200)：MgO的(200)面的X射线衍射强度。
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