[发明专利]形成经松弛半导体材料层、半导体结构、装置的方法及包含经松弛半导体材料层、半导体结构、装置的工程衬底

摘要

本发明揭示制作经松弛半导体材料层的方法，其包含形成上覆在顺从性材料层上的半导体材料结构及随后更改所述顺从性材料的粘度以减小所述半导体材料内的应变。可在沉积第二半导体材料层期间使所述顺从性材料回流。可选择所述顺从性材料，使得在沉积所述第二半导体材料层时更改所述顺从性材料的粘度，从而赋予所述结构的松弛。在一些实施例中，所述半导体材料层可包括III-V型半导体材料，举例来说，氮化铟镓。本发明还揭示制作半导体结构及装置的方法。在此类方法期间形成新颖的中间结构。工程衬底包含安置在展现可改变粘度的材料层上的包括半导体材料的多个结构。

主权项

一种制作半导体结构或装置的方法，其包括：在基底层上方形成半导体材料层；将所述半导体材料层附加到顺从性材料层；分离所述半导体材料层与所述基底层；移除所述半导体材料层的一部分以暴露所述顺从性材料层的位于包括所述半导体材料的多个结构中的每一者之间的区域；及在所述多个结构上方沉积另一半导体材料层同时更改所述顺从性材料层的粘度。