[发明专利]成膜装置、成膜方法及存储介质有效
申请号: | 201010531521.1 | 申请日: | 2010-11-02 |
公开(公告)号: | CN102051597A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 熊谷武司;竹内靖;加藤寿 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/48;H01L21/205 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供成膜装置、成膜方法及存储介质。该成膜装置使旋转台旋转而使BTBAS气体吸附在晶圆(W)上,接着,向晶圆(W)的表面供给O3气体,使吸附在晶圆(W)表面的BTBAS气体氧化而形成氧化硅膜,在这个过程中,作为用于加热晶圆(W)而生成氧化硅膜的加热部,采用从旋转台的内周侧到外周侧地以带状照射激光的激光照射部。 | ||
搜索关键词: | 装置 方法 存储 介质 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,该成膜装置在真空容器内按顺序向基板的表面供给互相反应的至少两种反应气体,而且,通过执行该供给循环来层叠多个反应生成物的层,从而形成薄膜,其特征在于,包括:工作台,其设置在上述真空容器内,具有用于载置基板的基板载置区域;第一反应气体供给部,其用于向该工作台上的上述基板供给第一反应气体;第二反应气体供给部,其用于向该工作台上的上述基板供给第二反应气体;激光照射部,其与上述基板载置区域相对地设置,用于向上述基板载置区域的靠上述工作台中心侧的端部和靠上述工作台外周侧的端部之间的局部区域照射激光;旋转机构,其用于使上述第一反应气体供给部、上述第二反应气体供给部及上述激光照射部相对于上述工作台相对旋转;真空排气部,其用于对上述真空容器内进行排气;上述第一反应气体供给部、上述第二反应气体供给部及上述激光照射部配置为,在上述相对旋转时,基板按顺序位于被供给上述第一反应气体的第一处理区域、被供给上述第二反应气体的第二处理区域及被照射上述激光的照射区域。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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