[发明专利]等离子体沉积有效
| 申请号： | 201080017095.8 | 申请日： | 2010-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN102395704A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 盖·詹姆斯·雷诺兹;康纳·尼古拉斯·马丁;彼得·格洛瓦茨基;玛丽-皮埃尔·弗朗索瓦兹·温特伯特埃普富凯;萨蒂亚纳拉扬·巴利克;帕特里克·坡-曾·陈 | 申请（专利权）人： | 盖利姆企业私人有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/24 | 分类号： | C23C16/24;C23C16/452;H05H1/00 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立;王萍萍 |
| 地址： | 澳大利亚新*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 一种用于在基片上沉积第Ⅲ族金属氮化物薄膜的装置，装置包含从氮源产生氮等离子体的等离子体发生器，反应室，在所述反应室中使包含第Ⅲ族金属的反应物和来自于氮等离子体的活性氮物种反应以在基片上沉积第Ⅲ族金属氮化物，便于氮等离子体从等离子体发生器进入反应室的通过的等离子体入口，和具有有一个或多个供氮等离子体通过的流动通道的挡板。挡板位于等离子体的入口和基片之间，并且防止等离子体入口和基片之间的氮等离子体的直线通过。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 沉积 | ||
【主权项】：
一种用于在基片上沉积第Ⅲ族金属氮化物薄膜的装置，所述装置包含：(a)从氮源产生氮等离子体的等离子体发生器；(b)反应室，在所述反应室中使包含第Ⅲ族金属的反应物与来自于所述氮等离子体的活性氮物种反应以在所述基片上沉积第Ⅲ族金属氮化物；(c)便于氮等离子体从所述等离子体发生器到所述反应室通过的等离子体入口，和(d)具有一个或多个供所述氮等离子体通过的流动通道的挡板，所述挡板位于所述等离子体入口和所述基片之间，其中，所述挡板防止所述等离子体入口和所述基片之间的氮等离子体的直线通过。
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- 2013-09-09 - 2017-02-08 - C23C16/24
- 本发明揭露了一种用于非晶硅沉积的炉管底座，所述底座包括从下依次往上叠加设置的密封盖、磁流体、基座支架以及基座，所述磁流体连接密封盖与基座支架，基座支架与基座连接，还包括支架盖板和固定块，所述支架盖板位于所述基座和基座支架之间，遮盖住所述基座支架的上表面和侧面，所述固定块位于基座内，覆盖基座底部的开口，所述支架盖板和固定块均为碳化硅材质。本发明提供的用于非晶硅沉积的炉管底座，可以改善非晶硅沉积工艺中薄膜剥落状的颗粒缺陷的产生，提高产品良率。
- 硅薄膜的制备方法-201410419021.7
- 邬苏东;叶继春;高平奇;杨映虎;韩灿 - 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 2014-08-22 - 2016-11-16 - C23C16/24
- 本发明公开了一种硅薄膜的制备方法，使用中压等离子体设备制备硅薄膜，包括以下步骤：将衬底清洗后放入沉积腔室的样品台上；将所述沉积腔室抽真空；在等离子体喷枪的腔体中通入第一气体，所述第一气体在所述等离子体喷枪的腔体中生成等离子体；在所述等离子体喷枪的腔体中通入第二气体，所述第二气体在所述等离子体喷枪的腔体中分解为包含硅原子的气体粒子；所述硅原子在所述等离子体的携带下进入沉积腔室，并沉积在所述衬底上形成硅薄膜；在所述硅薄膜的沉积过程中，所述沉积腔室中的压力为0.1kPa～10kPa，且所述压力值恒定。上述方法可实现较低温度下硅薄膜的快速生长。
- 成膜装置-201410478007.4
- 长谷部一秀;村上博纪;柿本明修 - 东京毅力科创株式会社
- 2011-04-27 - 2016-11-02 - C23C16/24
- 本发明提供一种非晶体硅膜的成膜方法和成膜装置。该成膜方法包括如下工序：对基底进行加热，使氨基硅烷系气体流经加热后的基底，在基底的表面形成晶种层；对基底进行加热，向加热后的基底的表面的晶种层供给不含氨基的硅烷系气体，使不含氨基的硅烷系气体热分解，从而在晶种层上形成非晶体硅膜。
- 用于在光伏应用中沉积微晶材料的方法和设备-201610101963.X
- M.克林德沃特;M.库皮希 - 瑞士艾发科技
- 2011-04-14 - 2016-08-24 - C23C16/24
- 本申请涉及用于在光伏应用中沉积微晶材料的方法和设备。提供了一种用于生产光伏电池的沉积方法和系统。该方法包括在半导体材料沉积的至少一部分期间在反应室内保持负压。将第一和第二电极分离的距离D用mm来表示，并且大于或等于约10mm但小于或等于约30mm。在半导体材料沉积的至少一部分期间建立按体积计至少百分之五十（50%）的工艺气体中的含半导体气体的浓度。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
