[发明专利]具有分离点火阶段的点火阶段晶闸管有效
| 申请号： | 201080044032.1 | 申请日： | 2010-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102668088A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 乌韦·凯尔纳-沃尔德华森;迪特·西尔柏;埃斯瓦尔-库马尔·丘考卢里 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技双极有限责任合伙公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L31/111;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 丛芳;彭晓玲 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶闸管，其包括一个半导体本体(1)，其排列如下：沿垂直方向(v)从背面(14)到前端面(13)有一p混杂发射极(8)、一n混杂基极(7)、一p混杂基极(6)和一n混杂发射极(5)按先后排列。进一步地，还提供一个包括至少一个点燃级别(AG1，AG2，AG3，AG4)的一个点燃级别结构(AG)，每个点燃级别包括一个n混杂点燃级别发射极(51，52，53，54)，这些发射极嵌在p混杂基极(6)上并从n混杂发射极(5)中分离出来。一个点燃级别电极(42)与点燃级别发射极(51，52，53，54)中的一个(52)在前端面(13)上相接触，并且具有一个与后者相接触的第一接触面(421)。在第二接触面(422)上点燃级别电极(42)与朝向n混杂发射极(5)的前端面(13)上的点燃级别发射极(52)一边的p混杂基极(6)相接触。第二个接触面(422)既与第一接触面(421)又与一个点燃级别发射极(52)相隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分离 点火 阶段 晶闸管 | ||
【主权项】：
晶闸管及一个半导体(1)，其中纵向(v)从背面(14)到与其(14)相对的正面(13)，按序叠放一个p型杂质射极(8)，一个n型杂质(7)，一个p型杂质基极(6)和一个n型杂质射极(5)，并表现出以下特征：点火结构(AG)至少含有一个点火阶段(AG1，AG2，AG3，AG4)，其各被一个n型杂质射极(5)隔开，被一个n型点火阶段射极(51，52，53，54)包裹，而其被置于一个p型杂质基极(6)内；一个电极(42)与正面(13)的点火阶段射极(52，53，54)中的(52)相接，且此连接为第一个接触面(421)，该电极使在转向n型杂质射极(5)面上的p型杂质基极(6)和在正面(13)的点火阶段射极中的射极(52)在第二接触面(422)相接，第二个接触面(422)既与第一接触面(421)又与点火阶段射极中的射极(52)相隔。
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- 本发明公开了一种低电容低压放电管，包括外围N+区、N+区内的P+区和N+与P+之间的N‑区，P+区上扩散有N+区，P+区上扩散的N+区上均匀分布有短路点，外围N+区与P+区具有若干不连续的相交块，本发明的放电管结构简单，通过N+区与P+区的若干不连续的相交块形成8V左右电压的同时，在放雷击效果不变的基础上，使电容Cp降低，从而获得低电容的放电管。
- 一种高压平面闸流管器件-201721380929.7
- 许志峰;周健 - 启东吉莱电子有限公司
- 2017-10-25 - 2018-06-22 - H01L29/74
- 本实用新型公开了一种高压平面闸流管器件，包括N型FZ硅片，N型FZ硅片的背面设有PWELL区，PWELL区的背面设有阳极电极，N型FZ硅片的四周环设有P型隔离区，N型FZ硅片的正面通过SIPOS膜对称设有玻璃钝化区，玻璃钝化区的正面设有聚酰亚胺保护膜，玻璃钝化区与N型FZ硅片之间设有分压环和截止环，N型FZ硅片的上部、位于玻璃钝化区内缘之间的部分设有短基区，短基区的上部设有NWELL区，NWELL区的正面设有阴极电极，短基区正面的一侧与钝化玻璃区之间设有门极电极。本实用新型采用穿通隔离、分压环、场板及多层钝化制作出高工作电压的平面闸流管器件，工艺简单，器件的高温漏电小，可靠性高，失效率更低。
- 一种带有安全稳定结构的可控硅元件-201721226096.9
- 龙立 - 广东瑞森半导体科技有限公司
- 2017-09-23 - 2018-04-13 - H01L29/74
- 本实用新型公开了一种带有安全稳定结构的可控硅元件，所述基座结构的下部箱体内腔中部通过支架悬空架设有小型的鼓气风扇，所述基座结构的下部箱体内腔两侧壁面均开设有出气孔洞，所述基座结构的内腔顶板还装设有散热片，所述基座结构的下部箱体内腔底板中部开设有进气格珊，所述进气格珊的外部放置有手动按压式的液体喷壶。利用基座表面的铝制板将可控硅的工作热量进行传导，同时散热片进行自体的散热工作，可拆卸式的鼓气风扇和液体喷壶的组合，能够进行进一步的风冷散热工作，提高装置的整体散热效率，避免高温导致元件的工作性能改变，使得可控硅的工作更稳定，安全效率更高，且散热结构件方便进行拆装。
- 一种具有沟道截止环的可控硅-201721251978.0
- 邹有彪;徐玉豹;刘宗贺;廖航 - 安徽富芯微电子有限公司
- 2017-09-27 - 2018-04-13 - H01L29/74
- 本实用新型公开一种具有沟道截止环的可控硅，包括N型半导体基体，P型基区、P+型隔离扩散区、沟槽、N+型阴极区、沟道截止环以及金属电极；沟道截止环可以是P+型沟道截止环也可以是N+型沟道截止环。具有P+型沟道截止环的可控硅的制造步骤包括硅片双面抛光、氧化、穿通光刻、穿通扩散、短基区扩散、截止环光刻、截止环扩散、阴极光刻、磷扩散、沟槽光刻、沟槽腐蚀、沟槽钝化、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻、铝合金、背面金属化。本实用新型通过在门极和阴极间设置有一个沟道截止环，沟道截止环能阻止阴极和门极间的氧化层中的正电荷对可控硅触发电流产生的不利影响，提高了可控硅触发电流的稳定性，进而提高了可控硅使用的可靠性。
- 一种晶闸管元件管壳-201721062711.7
- 刘东;于新华 - 杭州西风半导体有限公司
- 2017-08-23 - 2018-04-06 - H01L29/74
- 本实用新型公开了一种晶闸管管壳，包括上管壳和下管壳，其特征在于，还包括设置于上管壳和下管壳之间的芯片组件，所述上官壳靠近芯片组件的一面设置有嵌入槽，所述嵌入槽内设置有门极组件，所述门极组件包括门极引线，所述门极引与芯片组件的芯片连接，所述嵌入槽为门极引线从管壳外部到达芯片提供了容纳空间，所述嵌入槽的长度与门极引线从管壳外部到达芯片连接点的路径一致。采用本实用新型，减小了门极引线损坏的几率，提高了管壳的产品性能。
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