[发明专利]半导体装置、无缝填隙的方法与浅沟槽隔离结构的制法有效
| 申请号： | 201110036387.2 | 申请日： | 2011-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102263053A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 聂鑫誉;张硕哲;张惠岚;陈政顺 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/316;H01L21/3105;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种无缝填隙方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括具有缺口设置于其内的组件膜层，所述缺口具有大于4的深宽比；在所述缺口所露出的所述组件膜层上形成衬层；在所述缺口内的所述衬层上形成第一未掺杂氧化物层；在所述缺口内的所述第一未掺杂氧化物层上形成掺杂氧化物层；在所述缺口内的所述掺杂氧化物层上形成第二未掺杂氧化物层，并填满所述缺口；以及对所述第二未掺杂氧化物层、所述掺杂氧化物层与所述第一未掺杂氧化物层施行回火程序，在所述缺口内形成无缝氧化物层，其中无缝氧化物层具有内部掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 无缝 填隙 方法 沟槽 隔离 结构 制法 | ||
【主权项】：
一种无缝填隙方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括具有缺口设置于其内的组件膜层，所述缺口具有大于4的深宽比；在所述缺口所露出的所述组件膜层上形成衬层；在所述缺口内的所述衬层上形成第一未掺杂氧化物层；在所述缺口内的所述第一未掺杂氧化物层上形成掺杂氧化物层；在所述缺口内的所述掺杂氧化物层上形成第二未掺杂氧化物层，并填满所述缺口；以及对所述第二未掺杂氧化物层、所述掺杂氧化物层与所述第一未掺杂氧化物层施行回火程序，在所述缺口内形成无缝氧化物层，其中所述无缝氧化物层具有内部掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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