[发明专利]边缘钝化的功率电子器件有效
申请号: | 201180063902.4 | 申请日: | 2011-10-26 |
公开(公告)号: | CN103430300A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | A·D·克兰;D·欣奇利;S·J·洛迪克 | 申请(专利权)人: | GE能源动力科孚德技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/051 | 分类号: | H01L23/051;H01L23/00;H01L23/31;H01L29/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐予红;汤春龙 |
地址: | 英国沃*** | 国省代码: | 英国;GB |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体器件或功率电子器件。所述器件包括一对极件(36、38),每个极件具有形成轮廓的表面(40、42)。优选地,具有宽带隙电子材料的半导体本体或晶片(30)位于极件(36、38)之间并且包括接触金属化区域(32、34)。半导体本体(30)产生从边缘区域出现的电场。钝化部件包括第一或径向内部分(44)和第二或径向外部分(46),所述第一或径向内部分(44)接触半导体本体(30)的边缘区域并且在电场从边缘区域出现时扩散电场。第二部分(46)接触第一部分(44)并且提供与每个极件(36、38)的形成轮廓的表面(40、42)的基本上没有空隙的接触面。所述器件可以被浸在电介质液体(50)中。 | ||
搜索关键词: | 边缘 钝化 功率 电子器件 | ||
【主权项】:
一种浸在液体电介质(50)中的高压器件,所述器件包括:一对极件(36、38);器件本体(30),所述器件本体(30)位于所述极件(36、38)之间,所述器件本体(30)经受电场并且具有中心载流区域和边缘终止区域,所述边缘终止区域包括平面边缘终止构件(48a、48b),用于扩散所述器件本体(30)内的电场,所述电场从所述器件本体(30)的所述边缘终止区域出现;以及钝化部件,所述钝化部件具有第一部分(44)和第二部分(46),所述第一部分(44)接触所述器件本体(30)的所述边缘终止区域并且在从所述边缘终止区域出现电场时扩散电场,所述第二部分(46)提供与每个极件(36、38)的形成轮廓的表面(40、42)的接触面并且当从所述钝化部件的所述第一部分(44)出现电场时进一步扩散电场,所述钝化部件的所述第二部分(46)的径向外表面(46a)接触所述电介质液体(50);其中,每个极件(36、38)在外周边缘区域处具有形成轮廓的表面(40、42),用于控制所述钝化部件(44、46)内电场的扩散。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于GE能源动力科孚德技术有限公司,未经GE能源动力科孚德技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180063902.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 具有栅环的改进定中心和固定的关断功率半导体装置及其制造方法-201580019125.1
- H.拉韦纳;T.维克斯特伦;H.阿姆斯图茨;N.迈尔 - ABB瑞士股份有限公司
- 2015-02-23 - 2019-02-15 - H01L23/051
- 本发明涉及一种关断功率半导体装置(1),具有:晶片(10),具有有源区以及包围有源区的端接区;橡胶环(70),作为晶片(10)的边缘钝化;以及栅环(60),放置于端接区上的环形栅接触件(40)上,以用于接触晶片的有源区中形成的至少一个晶闸管单元的栅电极。在本发明的关断功率半导体装置(1)中,栅环的外圆周表面与橡胶环相接触,以限定橡胶环(70)的内边界。在本发明中,由端接或边缘区上的环形栅接触件(40)所消耗的面积能够为最小。栅环(60)的上表面和橡胶环(70)的上表面形成与晶片(10)的第一主侧(11)平行的平面中延伸的连续表面。在用于制造装置的方法中,栅环(60)用作用于模塑橡胶环(70)的模具的内侧壁。
- 功率半导体装置-201480073814.6
- J.霍莫拉;L.多特;L.拉德范 - ABB瑞士股份有限公司
- 2014-12-17 - 2018-11-23 - H01L23/051
- 本发明涉及一种功率半导体装置(10),包括:具有上部侧(14)和具有下部侧(16)的功率半导体元件(12),上部侧(14)定位于与下部侧(16)相对;第一电极(18)和第二电极(20);及壳体,其中功率半导体元件(12)布置在第一电极(18)与第二电极(20)之间,使得上部侧(14)包括与第一电极(18)接触的第一接触部分(22)和不与第一电极(18)接触的第一自由部分(24),并且其中下部侧(16)至少包括与第二电极(20)接触的第二接触部分(26),并且其中提供了流动连接第一自由部分(24)的至少部分与壳体的预确定的脱气点(38)的沟道(36),以用于从第一自由部分(24)引导过压到预确定的脱气点(38),过压由在功率半导体装置的操作期间在失效模式中出现的等离子体和/或气体引起。根据本发明的功率半导体装置(10)可能够实现在临界失效模式中形成的具有高压的热等离子体和/或气体从壳体的受控逸出,同时防止热等离子体和/或气体对散热器或半导体装置(10)所处的设备的其它部分造成损坏。因此,至少部分地防止了功率半导体装置(10)在失效模式中爆炸,改进了操纵失效装置的人员的安全,并且降低了损坏功率半导体装置(10)附近的部分的危险。
- 功率组件-201380041268.3
- 高木佑辅;松下晃;吉成英人;露野圆丈 - 日立汽车系统株式会社
- 2013-07-10 - 2017-11-14 - H01L23/051
- 本发明的功率半导体组件提高金属制壳体和功率半导体组件的密封力。功率半导体组件(3)利用第一密封树脂(6)将功率半导体元件(31U、31L)和导体板(33~36)的外周侧面覆盖而一体化。金属制壳体(40)的内表面形成有氧化层(粗糙面层)(46)。对设置在金属制壳体(40)的氧化层(46)和功率半导体组件(30)的空间(S)注入具有流动性的树脂材料,形成第二密封树脂(52)。第二密封树脂(52)进入氧化层(46)的凹陷,因此密封力提高。
- 半导体装置及其制造方法-201480071098.8
- 门口卓矢;平野敬洋;西畑雅由;福谷啓太;奥村知巳 - 丰田自动车株式会社
- 2014-12-18 - 2016-08-10 - H01L23/051
- 一种半导体装置,包括金属构件(54)、半导体元件(30)、树脂部(66)、底料层、以及剥离抑制部。所述金属构件具有包括半导体元件安装区(540b)和树脂紧密接触区(540a)的表面,所述树脂紧密接触区从所述半导体元件安装区延伸至所述金属构件的外周边缘。所述半导体元件安装在所述半导体元件安装区上。所述树脂部延伸到所述金属构件的侧表面外的位置,与所述树脂紧密接触区紧密接触,并一体地覆盖所述半导体元件和所述金属构件。所述底料层布置在所述树脂紧密接触区和所述树脂部之间。所述剥离抑制部被构造成抑制所述金属构件和所述树脂部在所述树脂紧密接触区的外周部彼此剥离。
- 边缘钝化的功率电子器件-201180063902.4
- A·D·克兰;D·欣奇利;S·J·洛迪克 - GE能源动力科孚德技术有限公司
- 2011-10-26 - 2013-12-04 - H01L23/051
- 本发明涉及半导体器件或功率电子器件。所述器件包括一对极件(36、38),每个极件具有形成轮廓的表面(40、42)。优选地,具有宽带隙电子材料的半导体本体或晶片(30)位于极件(36、38)之间并且包括接触金属化区域(32、34)。半导体本体(30)产生从边缘区域出现的电场。钝化部件包括第一或径向内部分(44)和第二或径向外部分(46),所述第一或径向内部分(44)接触半导体本体(30)的边缘区域并且在电场从边缘区域出现时扩散电场。第二部分(46)接触第一部分(44)并且提供与每个极件(36、38)的形成轮廓的表面(40、42)的基本上没有空隙的接触面。所述器件可以被浸在电介质液体(50)中。
- 带柔性平面引线的集成电路-200880014697.0
- T·奥特丽 - 美高森美公司
- 2008-03-24 - 2010-03-24 - H01L23/051
- 一种微电子装置,包括微电子电路和至少一个平面柔性引线。这些平面柔性引线配置成在机械应力下可以弯曲和挠曲,以便直接将该装置安装至构件上,而且能承受极端的热循环,例如在太空中遇到的例如,-197℃至+150℃。
- 专利分类