[发明专利]用于相变随机存取存储器的底部电接触结构的制造方法有效
| 申请号： | 201210102372.6 | 申请日： | 2012-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103367634A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 王冬江;周俊卿;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于相变随机存取存储器的底部电接触结构的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一金属电极；在所述层间介质层上形成一氧化物层，其覆盖所述第一金属电极上端的一部分；在所述半导体衬底上依次形成一导电材料层和一薄层氧化物；采用侧壁蚀刻工艺蚀刻所述薄层氧化物和导电材料层；沉积所述氧化物层，并研磨所述氧化物层；执行一光刻过程以定义所述导电材料层的图形；执行一各向异性的蚀刻过程；回蚀刻所述导电材料层；在所述导电材料层和所述氧化物层上依次形成一相变材料层和一第二金属电极。根据本发明，可以使形成的所述底部电接触结构的特征尺寸满足设计要求，不受制造工艺边际的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 随机存取存储器 底部 接触 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于相变随机存取存储器的底部电接触结构的制造方法，包括：a)提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层，在所述层间介质层中形成有第一金属电极；b)在所述层间介质层上形成一氧化物层，所述氧化物层覆盖所述第一金属电极上端的一部分；c)在所述半导体衬底上依次形成一导电材料层和一薄层氧化物，以覆盖所述氧化物层与未被所述氧化物层覆盖的第一金属电极和层间介质层；d)采用侧壁蚀刻工艺蚀刻所述薄层氧化物和导电材料层；e)沉积所述氧化物层，并研磨所述氧化物层直至露出所述导电材料层为止；f)执行一光刻过程以定义所述导电材料层的图形；g)执行一各向异性的蚀刻过程，以使所述导电材料层仅存在于所述第一金属电极上；h)执行步骤e)，并回蚀刻所述导电材料层；I)在所述导电材料层和所述氧化物层上依次形成一相变材料层和一第二金属电极。
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