[实用新型]高性能大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构有效
| 申请号： | 201220569584.0 | 申请日： | 2012-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN202917472U | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 陈建斌 | 申请（专利权）人： | 江阴苏阳电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/42 | 分类号： | H01L23/42 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 | 代理人： | 唐纫兰;曾丹 |
| 地址： | 214421 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高性能大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构，其特征在于它包括内引脚框架（4）以及框架散热片（6），所述内引脚框架（4）以及框架散热片（6）之间设置有导热绝缘片（5），所述内引脚框架（4）上安装有大电流VDMOS功率器件芯片（2），所述内引脚框架（4）以及框架散热片（6）的外部塑封有塑封体（3）。本实用新型由于使用内引脚框架以及框架散热片替代传统的框架，且内引脚框架以及框架散热片之间设置有导热绝缘片，使得该大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构具有导热绝缘性能较好，因此该大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构具有能够保证产品高性能的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 电流 vdmos 功率 器件 芯片 绝缘 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种高性能大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构，其特征在于它包括内引脚框架（4）以及框架散热片（6），所述内引脚框架（4）以及框架散热片（6）之间设置有导热绝缘片（5），所述内引脚框架（4）上安装有大电流VDMOS功率器件芯片（2），所述内引脚框架（4）以及框架散热片（6）的外部塑封有塑封体（3）。
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