[发明专利]通过不同的沉积技术形成的半导体器件中的多结

摘要

一种半导体器件，以使用MOCVD和MBE的混合沉积策略为基础形成该半导体器件，具体地为太阳能电池（450），以便提供晶格匹配半导体化合物（452，453，454）。为此，可以应用MBE以提供含氮半导体化合物（453），允许期望的低能隙和关于砷化镓衬底的晶格匹配结构。

主权项

一种在半导体器件(150，250，450)中形成多个pn结的方法，所述方法包括：提供第一衬底，执行至少一个化学气相沉积工艺(111，112)，以便在第一衬底上形成至少一个第一晶体半导体层(152，452)，每个第一晶体半导体层包括所述半导体器件(150，250，450)的pn结(452p)，以及随后执行分子束外延工艺(131)，以便形成稀释的氮半导体材料(154，254，372)作为包括所述半导体器件的pn结(453p)的第二晶体半导体层，其中通过分子束外延工艺形成的第二晶体半导体层在用于形成第二晶体半导体层的稀释的氮半导体材料的分子束外延工艺之后不经受任何化学气相沉积工艺，其中在通过分子束外延工艺形成第二晶体半导体层之后，以化学气相沉积工艺为基础设置的任何另外的半导体化合物形成在单独的衬底上并且通过衬底键合工艺键合到第二晶体半导体层。