[发明专利]基板处理装置

摘要

本发明提供一种基板处理装置。其采用简单的配管结构，有效地进行基板的最外周的特性修正。其具备气体供给装置，气体供给装置具备：喷淋头、向喷淋头供给处理气体的处理气体供给部、流通来自处理气体供给部的处理气体的处理气体供给流路、从处理气体供给流路分支向喷淋头供给处理气体的分支流路及、向喷淋头供给附加气体的附加气体供给部、和使来自附加气体供给部的附加气体流到喷淋头的附加气体供给流路。喷淋头具有向晶片的配置区域供给气体的第一、第二气体导入部、，和向晶片外缘的外侧供给气体的第三气体导入部。分支流路、与第一、第二气体导入部、连接，附加气体供给流路与第三气体导入部连接。

主权项

一种基板处理装置，其特征在于：具备其中配置有被处理基板的处理室、和向所述处理室内供给气体的气体供给装置，从所述气体供给装置向所述处理室内供给用于对被处理基板进行处理的处理气体，并对被处理基板实施规定的处理，所述气体供给装置包括：气体导入部件，在其内部包括气体扩散空间，其向所述处理室中导入气体，所述气体扩散空间具有位于所述气体导入部件的中心侧的第一气体扩散空间、位于所述第一气体扩散空间的外侧的第二气体扩散空间和位于所述第二气体扩散空间的外侧的第三气体扩散空间；处理气体供给部，其向所述气体导入部件供给对被处理基板进行处理的处理气体；处理气体供给流路，与所述处理气体供给部连接，其流通来自所述处理气体供给部的处理气体；多个分支流路，其从所述处理气体供给流路分支，与所述气体导入部件连接，所述多个分支流路具有向所述第一气体扩散空间供给所述处理气体的第一分支流路和向所述第二气体扩散空间供给所述处理气体的第二分支流路；附加气体供给部，其向所述气体导入部件供给用于调整基于所述处理气体的处理特性的附加气体；附加气体供给流路，与所述多个分支流路独立，与所述附加气体供给部和所述气体导入部件连接，其向所述第三气体扩散空间流通来自所述附加气体供给部的附加气体；分流量调整机构，在所述第一分支流路中具有第一流量控制阀和第一压力传感器，并且在所述第二分支流路中具有第二流量控制阀和第二压力传感器；旁路配管，将所述附加气体供给流路与所述第二分支流路连接；和旁路阀，配置在所述附加气体供给流路和所述旁路配管中的至少一处，其中，在向所述处理容器中导入所述附加气体的情况下，所述旁路阀配置成阻断所述第三气体扩散空间与所述旁路配管的连接，使得所述附加气体被供给到所述第三气体扩散空间，并且在不向所述处理容器中导入所述附加气体的情况下，所述旁路阀配置成阻断所述第三气体扩散空间与所述附加气体供给部的连接，使得所述处理气体经由所述旁路配管供给到所述第三气体扩散空间，并且所述分流量调整机构配置成基于所述第一压力传感器和所述第二压力传感器，通过调整所述第一流量控制阀和所述第二流量控制阀的开度来控制经由所述第一分支流路供给的处理气体与经由所述第二分支流路供给的处理气体的流量比。