[发明专利]一种高氮压助熔剂-坩埚下降法制备GaN晶体的方法有效
申请号: | 201310182293.5 | 申请日: | 2013-05-16 |
公开(公告)号: | CN103305903A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 李振荣;周明斌;范世*;徐卓 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | C30B11/06 | 分类号: | C30B11/06;C30B29/40 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 蔡和平 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种高氮压助熔剂-坩埚下降法制备GaN晶体的方法,包括:1)在充有保护气体的手套箱中将GaN籽晶或助熔剂和金属镓按照摩尔比1:9~9:1放入坩埚中;2)并将其放入高温高压晶体生长设备中,密封抽真空后充入含氮气体;分两阶段升温至500~900℃,继续通入含氮气体使压力为0~10MPa,在该压力下保温1~100小时;3)按0.1~5mm/d的速率下降坩埚,坩埚下降结束后,再以0.1~5℃/h的降温速率降温至600~300°C以下后,冷却至室温,泄压开炉后取出坩埚,对坩埚中的GaN晶体进行后处理得GaN晶体。该发明将坩埚下降法与助溶剂法结合来生长GaN晶体。 | ||
搜索关键词: | 一种 高氮压助 熔剂 坩埚 下降 法制 gan 晶体 方法 | ||
【主权项】:
一种高氮压助熔剂‑坩埚下降法制备GaN晶体的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在充有保护气体的手套箱中将助熔剂和金属镓以摩尔比(1:9)~(9:1)放入坩埚中混合均匀;2)将装有助熔剂和金属镓的坩埚放入高温高压晶体生长设备中,密封抽真空后充入含氮气体,然后快速升温至500℃~700℃后,再慢速升温至700℃~900℃后,继续通入含氮气体使压力为1~10MPa,在1~10MPa的压力和700℃~900℃的温度下保持1~100小时;3)启动高温高压晶体生长设备中的升降装置,按0.1~5mm/d的速率下降坩埚,坩埚下降出温度梯度区后,结束下降;在高温高压晶体生长设备中,再以0.1~50℃/h的降温速率降温至600℃~300℃以下,自然冷却至室温,泄压开炉后取出坩埚,对坩埚中的GaN晶体进行后处理,得到GaN晶体。
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