[发明专利]一种基于同型MOSFET的控制电子束高频偏转扫描装置有效
| 申请号： | 201310291247.9 | 申请日： | 2013-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN103458153A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 许海鹰;代建辉;左从进;韩瑞清;付鹏飞;王西昌;王永锋 | 申请（专利权）人： | 中国航空工业集团公司北京航空制造工程研究所 |
| 主分类号： | H04N3/18 | 分类号： | H04N3/18;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 100024 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于同型MOSFET的控制电子束高频偏转扫描装置，包括：恒压源、换向电路、线性放大电路以及电流采样电路；换向电路包括第1驱动电路、第2驱动电路、第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET、第四MOSFET以及扫描线圈；线性放大电路包括第3驱动电路、第4驱动电路、第五MOSFET、以及第六MOSFET，第3驱动电路连接第五MOSFET的栅极，第4驱动电路连接第六MOSFET的栅极；恒压源的负端接地，正端连接第一MOSFET的漏极与第二MOSFET的漏极，第四MOSFET的源极连接第六MOSFET的漏极，第三MOSFET的源极连接第五MOSFET的漏极，第五MOSFET的源极连接第六MOSFET的源极，并经过电流采样电路后，连接恒压源的负端。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mosfet 控制 电子束 高频 偏转 扫描 装置 | ||
【主权项】：
一种基于同型MOSFET的控制电子束高频偏转扫描装置，其特征在于，包括：恒压源、换向电路、线性放大电路以及电流采样电路；所述换向电路包括第1驱动电路、第2驱动电路、第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET、第四MOSFET以及扫描线圈，所述第1驱动电路连接所述第一MOSFET的栅极和第四MOSFET的栅极，所述第2驱动电路连接所述第二MOSFET的栅极和第三MOSFET的栅极，所述扫描线圈的一端连接所述第二MOSFET的源极和第四MOSFET的漏极，所述扫描线圈的另一端连接所述第一MOSFET的源极和第三MOSFET的漏极；所述线性放大电路包括第3驱动电路、第4驱动电路、第五MOSFET、以及第六MOSFET，所述第3驱动电路连接所述第五MOSFET的栅极，所述第4驱动电路连接所述第六MOSFET的栅极；所述恒压源的负端接地，正端连接所述第一MOSFET的漏极与所述第二MOSFET的漏极，所述第四MOSFET的源极连接所述第六MOSFET的漏极，所述第三MOSFET的源极连接所述第五MOSFET的漏极，所述第五MOSFET的源极连接所述第六MOSFET的源极，并经过所述电流采样电路后，连接所述恒压源的负端。
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