[发明专利]一种制备钽酸锂晶片的方法无效
| 申请号： | 201310481244.1 | 申请日： | 2013-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN103603054A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 刘子骥;梁志清;郑兴;黎威志;于云飞;谢佳林;李宁亮 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/30 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 谭新民 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种制备钽酸锂晶片的方法，包括：获取钽酸锂基片；清洗钽酸锂基片；将钽酸锂基片置于腐蚀溶液中，并且在钽酸锂基片的中心位置处加热腐蚀溶液，使钽酸锂基片在腐蚀溶液中腐蚀第一时间，获得钽酸锂晶片；清洗并干燥钽酸锂晶片。本发明的实施例的方法中，对钽酸锂基片进行腐蚀时，在钽酸锂基片的中心位置处加热腐蚀溶液，通过对该加热位置的控制，实现了对钽酸锂基片表面的温度分布的控制，进而控制了腐蚀速率，从而可以控制腐蚀后的表面粗糙度和均匀性。该方法制备的钽酸锂晶片的表面均匀性好，表面粗糙度小，并且背侵、背花等问题得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 钽酸锂 晶片 方法 | ||
【主权项】：
一种制备钽酸锂晶片的方法，其特征在于，包括：获取钽酸锂基片；清洗所述钽酸锂基片；将所述钽酸锂基片置于腐蚀溶液中，并且在所述钽酸锂基片的中心位置处加热所述腐蚀溶液，使所述钽酸锂基片在所述腐蚀溶液中腐蚀第一时间，获得钽酸锂晶片；清洗并干燥所述钽酸锂晶片。
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