[发明专利]光刻技术用防尘薄膜组件有效
| 申请号： | 201310726595.4 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103901716B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 白崎享 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 | 代理人： | 王勇,李科 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻技术用防尘薄膜组件,在防尘薄膜组件的处理中，即使在因防尘薄膜的张力下降导致防尘薄膜松弛的情况下也不会使防尘薄膜受到损伤。本发明是一种光刻技术用防尘薄膜组件，其具有防尘薄膜和防尘薄膜组件框架，所述防尘薄膜绷紧设置于所述防尘薄膜组件框架的上端表面，其特征在于，绷设有所述防尘薄膜的所述防尘薄膜组件框架的膜侧内切削面的角度小于45度，更优选所述防尘薄膜组件框架的膜侧内切削面的角度为10度至30度。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 技术 防尘 薄膜 组件 | ||
【主权项】：
一种光刻技术用防尘薄膜组件，其具有防尘薄膜和防尘薄膜组件框架，所述防尘薄膜通过粘合剂仅绷紧设置于所述防尘薄膜组件框架的上端表面，其特征在于∶所述光刻技术用防尘薄膜组件在安装和使用时保持侧面，绷紧设置有所述防尘薄膜的所述防尘薄膜组件框架的膜侧内切削面的角度为10度以上15度以下。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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