[发明专利]垂直电荷转移成像探测器像元合并方法有效
申请号: | 201410086304.4 | 申请日: | 2014-03-10 |
公开(公告)号: | CN103872065A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 阮宁娟;张文昱;刘兆军;金建高;何宝琨;张琢;闫锋 | 申请(专利权)人: | 北京空间机电研究所 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 范晓毅 |
地址: | 100076 北京市丰*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及垂直电荷转移成像探测器像元合并方法,包括三种像元阵列合并方法,其中奇偶行对齐的等效像元阵列合并时,每N1×M1个相邻实际像元合并为1个等效像元,合并后的奇数行等效像元和偶数行等效像元对齐没有错位;奇偶行错位的等效像元阵列合并时,每N2×M2个相邻实际像元合并为1个等效像元,合并后的奇数行等效像元和偶数行等效像元错位若干个实际像元;异形等效像元阵列合并时,每N3×N3-M3×M3个相邻实际像元合并为1个等效像元,合并后每个等效像元的一个顶角的M3×M3个实际像元不参与合并;该方法可以根据需要得到不同尺寸大小的等效像元,可以使成像系统性能达到最优状态,且像元合并还可以大幅提高探测器信噪比。 | ||
搜索关键词: | 垂直 电荷 转移 成像 探测器 合并 方法 | ||
【主权项】:
垂直电荷转移成像探测器像元合并方法,所述垂直电荷转移成像探测器为N×M像元阵列,其特征在于:包括三种像元阵列合并方法,分别为:奇偶行对齐的等效像元阵列合并、奇偶行错位的等效像元阵列合并和异形等效像元阵列合并,其中奇偶行对齐的等效像元阵列合并时,每N1×M1个相邻实际像元合并为1个等效像元,合并后的等效像元阵列中的奇数行等效像元和偶数行等效像元对齐;奇偶行错位的等效像元阵列合并时,每N2×M2个相邻实际像元合并为1个等效像元,合并后的等效像元阵列中的奇数行等效像元和偶数行等效像元错位若干个实际像元;异形等效像元阵列合并时,每(N3×N3)-(M3×M3)个相邻实际像元合并为1个等效像元,合并后的等效像元阵列中每个等效像元的一个顶角的M3×M3个实际像元不参与合并;其中N、M、N1、M1、N2、M2、N3、M3均为正整数;且N1、N2、N3均小于N;M1、M2、M3均小于M;M3小于N3;且M2为偶数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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