[发明专利]一种二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体材料的制备方法

摘要

一种二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体材料的制备方法，涉及材料工程领域，先将γ-氧化铝粉体材料预处理之后放入化学气相沉积反应室内，以SiO₂前驱体作为原料，并通入氩气和氧气，通过SiO₂前驱体的热分解在γ-氧化铝粉体表面包覆一层SiO₂纳米层，包覆结束之后，冷却至室温，取出，过筛。本发明提供的二氧化硅纳米层包覆的γ-氧化铝粉体材料的制备方法是通过化学气相沉积技术，在γ-氧化铝粉体表面包覆SiO₂纳米层，从而提高了γ-氧化铝粉体结构的热稳定性，提高γ-氧化铝粉体相转变温度，由此制备γ-氧化铝的粉体材料，方法操作简易，成本低，适宜大规模商业应用。

主权项

一种二氧化硅纳米层包覆的γ‑氧化铝粉体材料的制备方法，其特征在于，制备步骤如下：（1）将γ‑Al₂O₃粉体进行干燥和过筛Ⅰ预处理，然后将处理好的γ‑Al₂O₃粉体放置于化学气相沉积反应室内，抽真空至5‑20Pa，预热至包覆温度；（2）以SiO₂前驱体为原料，对原料进行加热，加热至70‑130℃，反应室开始旋转；（3）将原料、氩气和氧气通入反应室，然后调整反应室内压力，开始包覆； （4）包覆结束后，反应室停止旋转，并停止通入原料、氩气和氧气，待冷却至室温，取出，过筛Ⅱ；其中：氩气气体流量为20‑100 sccm，氧气气体流量为10‑50 sccm，旋转速率15‑60r/min，反应室内压力为200‑1000Pa，包覆温度为400‑700℃，包覆时间为10‑300min。