[实用新型]一种可控硅投切的无功功率补偿装置有效
申请号: | 201420641004.3 | 申请日: | 2014-10-31 |
公开(公告)号: | CN204089209U | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 黄红军;高庆雨;黄华 | 申请(专利权)人: | 上海一德电气科技有限公司 |
主分类号: | H02J3/18 | 分类号: | H02J3/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201612 上海市松江*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种可控硅投切的无功功率补偿装置,包括智能控制器、电容电抗单元和投切开关单元,智能控制器与投切开关单元相连接,投切开关单元与电容电抗单元相连接;电容电抗单元包括并联电容器和串联电抗器,并联电容器连接串联电抗器,并联电容器包括单相并联电容器和三相并联电容器,串联电抗器为三相干式铁芯电抗器,投切开关单元包括可控硅和可控硅触发电路,可控硅与可控硅触发电路连接。本实用新型采用晶闸管投切电容器,并且通过控制晶闸管的导通和截止来实现无冲击投切电容器,即使频繁投切电容器也不会对电网造成冲击,当电网的负荷发生快速变化的时候,本实用新型也可以快速跟踪响应,响应时间可以达到20ms以内。 | ||
搜索关键词: | 一种 可控硅 无功功率 补偿 装置 | ||
【主权项】:
一种可控硅投切的无功功率补偿装置,包括智能控制器(2)、电容电抗单元(1)和投切开关单元(3),其特征在于,所述智能控制器(2)与所述投切开关单元(3)相连接,所述投切开关单元(3)与电容电抗单元(1)相连接;所述电容电抗单元(1)包括并联电容器和串联电抗器,并联电容器连接串联电抗器,所述并联电容器包括单相并联电容器和三相并联电容器,所述串联电抗器为三相干式铁芯电抗器,所述投切开关单元(3)包括可控硅和可控硅触发电路,所述可控硅与可控硅触发电路连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海一德电气科技有限公司,未经上海一德电气科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420641004.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:萃余煤的制造方法
- 下一篇:基于FPGA的新型模块化矿用无功补偿器控制系统