[发明专利]具有发光二极管的光电子器件有效
| 申请号： | 201480053827.7 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105594000B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 克里斯多夫·布维尔;埃尔文·多内尔;泽维尔·于翁;卡洛·卡利 | 申请（专利权）人： | 艾利迪公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L29/772;H01L29/06;H01L33/18;H01L33/24;H01L27/06;H01L33/14;H05B33/00;H05B33/08 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 杨生平;任庆威 |
| 地址： | 法国格*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种光电子器件(5)，包括：半导体衬底(10)，其可选地掺杂有第一导电类型；第一半导体区(14)，其电连接到掺杂有第一导电类型或相反的第二导电类型的衬底，并且比所述衬底掺杂更重；在所述第一半导体区上存在的第一发光二极管(DEL)的第一集合(A)，所述第一发光二极管包括线形、圆锥形或尖椎形的半导体元件；以及与所述第一半导体区相接触的导电部分(36)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 发光二极管 光电子 器件 | ||
【主权项】：
1.一种光电子器件(5)，包括：半导体硅衬底(10)，其没有掺杂或掺杂有第一导电类型；第一导电类型的或与第一类型相反的第二导电类型的、并且比所述衬底掺杂更重的第一掺杂半导体硅区(14；141、142)，所述第一掺杂半导体硅区电连接到所述衬底，在所述衬底的内部或在与所述衬底相接触的所述衬底的顶部上延伸，所述第一掺杂半导体硅区包括表面(12)；种子垫(16)，其与所述第一掺杂半导体硅区相接触，使得所述种子垫(16)倚靠在所述表面(12)上；由所述第一掺杂半导体硅区支撑的第一发光二极管(DEL；DEL1、DEL2)的第一组件(A；A1、A2)，所述第一发光二极管包括具有线形、圆锥形或尖椎形的由III‑V化合物制成的半导体元件并且与所述种子垫物理相接触；以及与所述第一掺杂半导体硅区物理相接触的导电部分(36；361、362)，使得所述导电部分倚靠在所述表面(12)上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾利迪公司，未经艾利迪公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480053827.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 发光元件及其制造方法-201380077836.5
- 黄建富;吕志强;林俊宇;邱新智 - 晶元光电股份有限公司
- 2013-06-26 - 2019-07-05 - H01L33/08
- 一种发光元件的制造方法，包括：提供第一基板；提供一半导体叠层在第一基板上，将半导体叠层经图形化形成彼此分割的多个半导体叠层块，多个半导体叠层块包括第一半导体叠层块、第二半导体叠层块及第三半导体叠层块；提供永久基板，包含第一表面及第二表面；实行分离步骤将第一半导体叠层块及第三半导体叠层块与第一基板分离，且第一基板保留有第二半导体叠层块；实行第一接合步骤使第三半导体叠层块位于永久基板的第一表面上；以及实施第二接合步骤接合第一半导体叠层块或第二半导体叠层块于第二表面上；其中，被接合至永久基板的第一半导体叠层块或第二半导体叠层块与第三半导体叠层块具有光学特征值的差异或电性特征值的差异。
- 具有改进的光萃取的包括发光二极管的光电子器件-201480069520.6
- 蒂费纳·杜邦;约翰·德西雷斯 - 艾利迪公司;原子能与替代能源委员会
- 2014-12-11 - 2019-04-23 - H01L33/08
- 本发明涉及一种光电气器件(5)，包括：含有面(12)的半导体衬底(10)；发光二极管(DEL)，其被布置在所述面上且包括线形、圆锥形或尖椎形的半导体元件(20)；以及覆盖所述发光二极管的至少部分透明的介电层(34)，所述介电层的折射率处于1.6和1.8之间。
- 具有发光二极管的光电子器件-201480053827.7
- 克里斯多夫·布维尔;埃尔文·多内尔;泽维尔·于翁;卡洛·卡利 - 艾利迪公司
- 2014-09-30 - 2018-12-04 - H01L33/08
- 本发明涉及一种光电子器件(5)，包括：半导体衬底(10)，其可选地掺杂有第一导电类型；第一半导体区(14)，其电连接到掺杂有第一导电类型或相反的第二导电类型的衬底，并且比所述衬底掺杂更重；在所述第一半导体区上存在的第一发光二极管(DEL)的第一集合(A)，所述第一发光二极管包括线形、圆锥形或尖椎形的半导体元件；以及与所述第一半导体区相接触的导电部分(36)。
- 发光二极管及其制备方法-201480077566.2
- 李东宣;孔得照;姜昌模;李俊烨 - 光州科学技术院
- 2014-09-16 - 2018-10-09 - H01L33/08
- 本发明提供发光二极管及其制备方法。详细地，可提供如下的发光二极管：所述发光二极管的特征在于，包括：第一发光结构体，由形成于基板上的第一n‑GaN层、第一活性层、第一p‑GaN层依次层叠而成；第一n型电极，形成于第一n‑GaN层的上部的一侧；电流扩散层，配置于所述第一发光结构体上，并且具有至少一个孔；第二发光结构体，由第二p‑GaN层、第二活性层及第二n‑GaN层依次层叠而成，所述第二p‑GaN层形成于配置有所述导电层的至少一个孔的区域，所述第二活性层形成于上述第二p‑GaN层上；所述第二p‑GaN层是借助所述导电层的至少一个孔使上述第一p‑GaN层再生长而形成的。在本发明中，在一个发光二极管配置可具有两种以上的波长的多个发光结构体，从而可提供能够释放所需颜色的光的高像素、高亮度的发光二极管。
- 发光元件及发光元件的制造方法-201580044820.3
- 仓冈义孝;大上翔平;滑川政彦;渡边守道 - 日本碍子株式会社
- 2015-07-09 - 2018-10-09 - H01L33/08
- 本发明提供一种廉价且容易制作、并且出光效率优异的发光元件。发光元件包括：由取向的多个晶粒构成的取向多晶基板、离散地设置于取向多晶基板的一个主面的不存在结晶缺陷的区域的上方且分别是在取向多晶基板的法线方向具有长度方向的柱状部位的多个柱状发光部、以及用折射率比柱状发光部的构成材料低的材料以包围多个柱状发光部的方式设置于取向多晶基板的上方的光封入层。
- 光源和包括光源的光学相干层析成像装置-201380050559.9
- 山方宪二;松鹈利光;吉冈毅;内田武志 - 佳能株式会社
- 2013-09-26 - 2018-09-04 - H01L33/08
- 一种光源包括上电极层、下电极层和介于其间的有源层。上电极层和下电极层中的至少一个被分成沿有源层的面内方向相互分开的多个电极。分开的电极独立地将电流注入到有源层中的多个不同的区域中。光源通过将来自上电极层和下电极层的电流注入到有源层中发光、沿面内方向引导光并且输出光。有源层中的多个不同的区域包含不包含光出射端的第一区域和包含光出射端的第二区域，并且，第二区域被配置为至少发射一阶级位的光。有源层具有非对称的多量子阱结构。
- 包括有源纳米线和接触纳米线的电致发光器件及其制造方法-201480025247.7
- S·斯卡林杰拉;P·吉莱;X·于贡;P·吉贝尔 - 阿莱迪亚公司
- 2014-03-28 - 2018-08-28 - H01L33/08
- 本发明涉及电致发光器件，其包括在衬底(100)的整个表面上的纳米线(Nti)的阵列，其特征在于，所述电致发光器件包括至少一个第一纳米线的第一系列和一个第二纳米线的第二系列；所述第一系列包括被称为有源纳米线(NTia)的第一纳米线，第一纳米线能够在电控制下发光，所述纳米线连接在第一类型的电接触部和第二类型的电接触部之间，以便使得所述器件能够在电控制下发光，所述第一纳米线由至少一个在所述电致发光器件的发光波长上透明的导电层(300)覆盖，所述层与所述第一类型的电接触部接触；所述第二系列包括被称为接触纳米线(NTic)的第二纳米线，第二纳米线被包封在金属层(700)内，所述金属层使得所述第一类型的电接触部能够形成；而第二类型的电接触部位于与包括所述纳米线侧相对的所述衬底的背侧，并且由至少面对纳米线的所述第一系列的导电层形成。本发明还涉及所述电致发光器件的制造方法。
- 纳米线/纳米锥形状的发光二极管及光检测器-201680052844.8
- 达萨·L·德赫拉杰;金东彻;比约恩·奥韦·M·菲姆兰;黑尔格·韦曼 - 科莱约纳诺公司;挪威科技大学
- 2016-07-13 - 2018-07-17 - H01L33/08
- 一种发光二极管装置，包括：在石墨基板上生长的多个纳米线或纳米锥，该纳米线或纳米锥具有p‑n或p‑i‑n结，与该石墨基板电接触的第一电极；与该纳米线或纳米锥的至少一部分的顶部接触的光反射层，该光反射层可选地充当第二电极；可选地，与该纳米线或纳米锥的至少一部分的顶部电接触的第二电极，该第二电极在该光反射层不充当电极的情况下是必不可少的；其中该纳米线或纳米锥包括至少一个III‑V族化合物半导体；且其中在使用中，光自该装置以大体上与该光反射层相对的方向发射。
- 含有温度测量装置的微米线或纳米线LED光源-201680053377.0
- 洛萨·塞弗;兹德拉夫科·左珍凯斯基 - 法雷奥照明公司
- 2016-09-13 - 2018-06-08 - H01L33/08
- 本发明提出了一种电致发光光源(101，201，301，401)，其包括从衬底突出的亚毫米尺寸的并且被分成多个相同的组的发光棒(120，220，320，420)。光源包括用于测量发光棒温度的装置(130，230，330，430)。通过使用本发明提供的装置，可以获得棒温度的准确和本地测量值。
- 单片发光器件-201480022075.8
- B·达米拉诺;H·金-肖沃;E·弗雷西内;J·布罗;P·德米里;S·舍诺;J·马西斯 - 国家科学研究中心
- 2014-03-12 - 2018-03-02 - H01L33/08
- 发光器件，其包括III族氮化物元件的单片排布体，所述排布体至少包括一个量子阱或量子点的平面的第一堆叠体(2)，其能够通过电注入而在至少一个第一波长上发射光子；量子阱或量子点的平面的第二堆叠体(4)，其能够通过由所述第一堆叠体发射的所述光子的光激发而在至少一个第二波长上发射光子；区域3，其将所述两个堆叠体分隔；第一电极(8)和第二电极(9)，其设置为允许电流穿过所述堆叠体；所述第二堆叠体(4)是n型掺杂的，所述分隔区域(3)包括沟道结(3B)和p++型掺杂区域(3A)，所述沟道结具有设置在与所述第二堆叠体(4)相同的侧的n++型掺杂区域，所述p++型掺杂区域(3A)设置在相对侧，所述第一堆叠体(2)设置在所述分隔区域(3)与至少一个n型掺杂层(51)之间。用于制造这样的器件的工艺。
- 具有侧壁电接触的纳米结构光电装置-201180038792.6
- J.C.金;S.易;D.E.马尔斯 - 桑迪奥德股份有限公司
- 2011-06-06 - 2017-06-16 - H01L33/08
- 公开了纳米结构阵列光电装置。光电装置可具有物理且电性连接至纳米结构（如纳米柱）的阵列的侧壁的顶部电接触。顶部电接触可设置为使得光可进入或离开纳米结构而不穿过顶部电接触。因此，顶部电接触对于具有由纳米结构中的活性区吸收或产生的波长的光可以是不透明的。因为不需要在光学透明性和导电性之间进行权衡，所以顶部电接触可由高导电性的材料制成。装置可以是太阳能电池、LED、光电检测器等。
- 氮化物半导体发光元件-201180073264.4
- 黄硕珉;韩在镐;金载润;河海秀;李守烈;金制远 - 三星电子株式会社
- 2011-08-09 - 2016-11-09 - H01L33/08
- 本发明涉及一种由于织构效应而具有改进的光提取效率的氮化物半导体发光元件，其包括：形成在衬底上的发光结构，其包括第一导电氮化物半导体层、第二导电氮化物半导体层以及插入在它们之间的有源层；电连接至第一导电氮化物半导体层的第一电极；电连接至第二导电氮化物半导体层的第二电极；以及具有多个通孔的光提取图案，其位于第一电极与第二电极之间并且形成为穿透发光结构的上表面和下表面。
- 发光二极管芯片-201380006090.9
- 马丁·斯特拉斯伯格;恩里克·卡尔加-帕尔多;史蒂文·艾伯特;阿纳·玛丽亚·本戈切亚恩卡沃;米格尔·安格尔·桑切斯-加西亚;马丁·曼德尔;克里斯托弗·克尔佩尔 - 欧司朗光电半导体有限公司
- 2013-01-15 - 2016-10-26 - H01L33/08
- 一种发光二极管芯片，包括：‑具有多个有源区(2)的半导体本体(1)，其中，‑有源区(2)中至少之一具有至少两个子区域(21···28)，‑有源区(2)具有布置在所述至少两个子区域(21····28)中的两个相邻子区域(21···28)之间的至少一个阻挡区(3)，‑至少两个子区域(21····28)在发光二极管芯片的工作期间发射颜色互不相同的光，‑在子区域(21····28)的至少之一中光的发射通过电产生，并且，‑将阻挡区(3)配置成阻碍两个相邻子区域(21····28)之间的电荷载流子的热活化再分布。
- 半导体发光装置的制造方法-201580004379.6
- 王涛 - 塞伦光子学有限公司
- 2015-01-08 - 2016-08-24 - H01L33/08
- 一种制造半导体装置的方法包括：提供具有半导体层(210)的半导体晶片；在所述半导体层之上形成第一掩模层(220)；在所述第一掩模层之上形成第一金属层(225)；在所述第一金属层之上形成第二金属层(230)，所述第一金属层具有比所述第二金属层低的熔点；对所述第二金属层退火，以形成岛状物(231)；并且将所述岛状物用作掩模，蚀刻穿过所述第一掩模层和所述半导体层以形成柱的阵列。
- 用于制造电致发光纳米线的优化方法-201380070429.1
- C·卡利 - 阿莱迪亚公司
- 2013-10-10 - 2015-09-23 - H01L33/08
- 本发明涉及一种用于在衬底的表面上制造一组纳米线(NTn)的方法，所述纳米线具有能够在电控制或光控制的作用下在至少一个波长(λ)发射辐射的部分，并且通过上导电层(60)而至少部分地互相电连接，所述工艺的特征在于包括能够在有效纳米线(NTj)当中识别失效的纳米线(NTi)的子集的步骤，所述步骤包括：-制造对所述发射波长(λ)敏感的负性感光树脂层，覆盖所述纳米线的全部；-在电控制或者光控制下激活所述纳米线的全部，使得所述有效纳米线发射所述辐射，所述辐射降低所述负性树脂的溶解性；-对在失效纳米线(NTi)处的所述树脂进行显影，留下变得更难溶解并且围绕所述有效纳米线(NTj)的区域；-去除在所述失效纳米线上方的所述导电层。本发明还涉及使用本发明的工艺而用于制造电致发光的二极管的方法。
- 包括多组发光二极管的单片多结发光装置-201280042881.2
- T·D·罗维斯;J·艾贝森;S·海克曼;童涛 - 克里公司
- 2012-07-24 - 2014-05-07 - H01L33/08
- 一种经封装的发光二极管（LED），包括基台、基台上的单片多结LED、以及单片多结LED上的密封剂材料。单片多结LED包括基板、基台上的多个子LED、与子LED耦接并按照包括阳极接触点和阴极接触点的预定布置连接子LED的多个导电金属互连件、以及基板中的与子LED的布置并联耦接的静电放电保护电路。
- 半导体发光装置-201180066899.1
- 姥原伸公;出口宏一郎;山田孝夫 - 日亚化学工业株式会社
- 2011-12-27 - 2013-10-16 - H01L33/08
- 本发明提供一种在使用大型粘贴半导体发光元件的半导体发光元件中，使光取出效率提高的技术。本发明的半导体发光装置（90）包含：半导体发光元件（1），其具有依次层积有p型半导体层（43）、活性层（42）以及n型半导体层（41）的半导体层积体（40）和接合于所述半导体层积体（40）的所述p型半导体层（43）侧的导电性支承基板（10）；透光性密封树脂（92），其覆盖所述半导体层积体（40）；荧光体粒子（93），其被包含在所述透光性密封树脂（92）中，其中，所述半导体层积体（40）通过贯通所述p型半导体层（43）、所述活性层（42）以及所述n型半导体层（41）的槽（2）而被分割成至少两个半导体块（45a～45d），所述槽（2）的宽度（W）比所述荧光体粒子（93）的平均粒径小。
- 具有提高的量子效率的发光二极管和制造方法-201080039739.3
- 苏杰;O·克利里欧科;Y·梅尔尼克;H·科吉里;L·陈;石川哲也 - 应用材料公司
- 2010-07-30 - 2012-05-30 - H01L33/08
- 量子阱结构的一个实施方式包含有源区，所述有源区包括有源层，所述有源层包含量子阱和障壁层，其中有源层中的一些或全部为p型掺杂的。P型掺杂有源层中的一些或全部通过将P-N结的位置定位在元件的有源区中进而使主要辐射复合能够发生在有源区内，来改良III-V化合物半导体发光二极管的量子效率。在一个实施方式中，在具有含共晶源合金的氢化物气相外延(HVPE)沉积腔室的组合工具中制造量子阱结构。在一个实施方式中，通过组合工具在分离腔室中生长氮化铟镓(InGaN)层和镁掺杂的氮化镓(Mg-GaN)或镁掺杂的氮化铝镓(Mg-AlGaN)层，避免铟与镁交叉污染。也描述了通过使用III族金属共晶的氢化物气相外延进行对III族氮化物的掺杂。在一个实施方式中，提供用于p型或n型III族氮化物外延膜的HVPE沉积的源，所述源包括与III族物种的液相机械(共晶)混合物。在一个实施方式中，提供用于执行p型或n型III族氮化物外延膜的HVPE沉积的方法，所述方法包括使用与III族物种的液相机械(共晶)混合物。
- 发光二极管元件及其制造方法-201080013974.3
- 上山智;岩谷素显;天野浩;赤崎勇;西村拓哉;寺前文晴;近藤俊行 - 名城大学
- 2010-03-26 - 2012-03-07 - H01L33/08
- 提供一种不用对6H型SiC掺杂Al而可以得到比掺杂了B和N的通常的6H型SiC的发光区域短波长侧的发光的发光二极管元件及其制造方法。在发光二极管元件100的SiC基板102形成由添加了B和N的多孔状单晶6H型SiC构成的多孔层124，如果多孔层124被氮化物半导体层发出的紫外光激励，可得到从蓝色到绿色的可视光。
- 半导体发光器件及用于制造该器件的方法-200980000570.8
- 丁焕熙 - LG伊诺特有限公司
- 2009-10-19 - 2010-09-29 - H01L33/08
- 实施例涉及一种半导体发光器件及包括该器件的发光装置。根据实施例的半导体发光器件包括：多个发光单元，包括多个化合物半导体层；所述发光单元上的多个欧姆接触层；所述欧姆接触层上的第一绝缘层；电气连接到所述发光单元中的第一发光单元的第二电极层；以及串联地连接所述发光单元的多个互连层。
- 专利分类
