[发明专利]立式热处理装置和热处理方法有效
申请号: | 201510036549.0 | 申请日: | 2015-01-23 |
公开(公告)号: | CN104810306B | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 中岛滋;岛裕巳;立野雄亮 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C30B33/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供立式热处理装置和热处理方法。一种立式热处理装置,其用于将呈搁板状保持有多张基板的基板保持件输入到被加热机构包围的立式的反应管内并进行热处理,其中,该立式热处理装置包括:气体喷嘴,其以沿所述基板保持件的铅垂方向延伸的方式设于所述反应管内,用于喷射处理气体;以及流路形成构件,其以包围所述气体喷嘴的方式设于所述反应管内,该流路形成构件形成用于对所述气体喷嘴内的处理气体进行调温的调温流体的流通空间并具有调温流体的供给口和排出口。 | ||
搜索关键词: | 立式热处理装置 热处理 气体喷嘴 反应管 流路形成构件 基板保持件 调温流体 喷射处理气体 搁板状保持 包围 处理气体 加热机构 流通空间 铅垂方向 供给口 排出口 调温 基板 延伸 | ||
【主权项】:
1.一种立式热处理装置,其用于将呈搁板状保持有多张基板的基板保持件输入到被加热机构包围的立式的反应管内并进行热处理,其中,该立式热处理装置包括:气体喷嘴,其以沿所述基板保持件的铅垂方向延伸的方式设于所述反应管内,用于喷射处理气体;以及流路形成构件,其以包围所述气体喷嘴的方式设于所述反应管内,该流路形成构件形成用于对所述气体喷嘴内的所述处理气体进行调温的调温流体的流通空间并具有所述调温流体的供给口和排出口,其中,所述处理气体是成膜用的原料气体,其中,所述调温流体是用于冷却所述处理气体的冷却用的流体,其中,所述加热机构由用于分别对所述反应管内的沿纵向排列的多个区域进行加热的多个加热部构成,该立式热处理装置还包括控制部,该控制部输出控制信号,以便在完成将所述基板保持件输入到所述反应管内之后,使所述多个区域中的、所述反应管的底部区域的温度成为比相对于该底部区域位于上方侧的区域的温度高且为所述处理气体的热分解温度以上的第1温度,另外,该控制部输出控制信号,以便利用所述调温流体的流通来使所述气体喷嘴内的所述处理气体的温度低于所述处理气体的热分解温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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