[发明专利]一种基于双掺杂量子点的比率温度传感器有效
| 申请号： | 201510615729.4 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105222918B | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 曹盛;郑金桔;高凤梅;尚明辉;杨祚宝;杨为佑 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | G01K11/20 | 分类号： | G01K11/20;G01K11/32 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 张向飞 |
| 地址： | 315000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的基于双掺杂量子点的比率温度传感器，包括设置有双掺杂量子点材料的半导体敏感元件，双掺杂量子点材料的制备方法如下：a、硫前驱体和锌前驱体的制备；b、在ODE溶剂中加入掺杂剂、基体材料以及表面配体，在无氧条件下加热升温去除杂质和水份得到透明溶液，表面配体为DDT和OLA；透明溶液升温，加入硫前驱体，保温生长加入锌前驱体，得到含Cu(Ag)，Mn共掺杂Zn‑In‑S量子点的溶液；溶液冷却后经提纯得到量子点。本发明传感器灵敏度高，测试范围大，稳定性好，通过调控双掺杂离子的掺杂浓度，可以实现对双荧光发射强度的调控，性能突出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 掺杂 量子 比率 温度传感器 | ||
【主权项】：
一种基于双掺杂量子点的比率温度传感器，其特征在于，所述基于双掺杂量子点的比率温度传感器包括设置有双掺杂量子点材料的半导体敏感元件，所述双掺杂量子点材料的制备方法如下：a、硫前驱体和锌前驱体的制备；b、量子点材料的制备：在ODE溶剂中加入掺杂剂、基体材料以及表面配体，在无氧条件下加热升温去除杂质和水份得到透明溶液，其中掺杂剂为锰盐与铜盐或者银盐中一种的混合物，基体材料为锌盐和铟盐，表面配体为十二硫醇DDT和油胺OLA；透明溶液升温，加入硫前驱体，保温生长10‑40min后加入锌前驱体，升温至220‑250℃并保温生长10‑40min,再降温至120‑160℃得到含Cu，Mn共掺杂Zn‑In‑S量子点的溶液；溶液冷却后经提纯得到量子点。
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