[发明专利]晶片分割方法有效

申请号：	201610109044.7	申请日：	2016-02-26
公开（公告）号：	CN105931956B	公开（公告）日：	2020-01-07
发明（设计）人：	卡尔·海因茨·普利瓦西尔	申请（专利权）人：	株式会社迪思科
主分类号：	H01L21/301	分类号：	H01L21/301
代理公司：	11127 北京三友知识产权代理有限公司	代理人：	吕俊刚
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	晶片分割方法。本发明涉及将一侧具有器件区域的晶片分割成裸片的方法，该器件区域具有由多条分割线划分的多个器件。该方法包括：将保护晶片上的器件的胶带附接至晶片的一侧，通过附接装置将支承胶带的载体附接至胶带的与面向晶片的一侧相反的侧。此外，该方法包括：研磨晶片的与一侧相反的侧以调节晶片厚度；研磨后，将保护层应用到晶片的与一侧相反的侧；和沿分割线切割晶片。以第一切割宽度机械地不完全切割晶片的与一侧相反的侧，在已形成不完全切口或多个不完全切口的区域或多个区域中，以第二切割宽度从晶片的与一侧相反的侧在晶片厚度方向上机械切割和/或激光切割和/或等离子体切割晶片的剩余部分。第二切割宽度小于或等于第一切割宽度。
搜索关键词：	晶片分割方法
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【主权项】：

1.一种将晶片(W)分割成裸片(23)的方法，所述晶片(W)在其一个侧面(1)上具有器件区域(2)，所述器件区域(2)具有由多条分割线划分的多个器件，所述方法包括以下步骤：/n将用于保护所述晶片(W)上的器件的胶带(4)附接至所述晶片(W)的所述一个侧面(1)；/n通过附接装置(10)，将用于支承所述胶带(4)的载体(7)附接至所述胶带(4)的与面向所述晶片(W)的所述一个侧面(1)的侧面相反的侧面；/n研磨所述晶片(W)的与所述一个侧面(1)相反的侧面(6)以调节所述晶片的厚度；/n在研磨之后，将保护层(20)应用到所述晶片(W)的与所述一个侧面(1)相反的所述侧面(6)；以及/n沿所述分割线切割所述晶片(W)，/n其中，以第一切割宽度(w

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摘要：加工对象物切断方法包括：第一步骤，准备具有单晶硅基板和设置于第一主面侧的功能元件层的加工对象物；第二步骤，通过对加工对象物照射激光，分别沿多条切断预定线在单晶硅基板的内部形成至少1列改质区域，并分别沿多条切断预定线在加工对象物以跨至少1列改质区域与加工对象物的第二主面之间的方式形成龟裂；第三步骤，在第二主面形成分别沿多条切断预定线形成有气体通过区域的蚀刻保护层；和第四步骤，在第二主面形成有蚀刻保护层的状态下，通过对加工对象物从第二主面侧实施干式蚀刻，分别沿多条切断预定线在加工对象物形成开口于第二主面的沟槽。

加工对象物切断方法-201880025401.9
发明人：坂本刚志 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/301
摘要：加工对象物切断方法包含：第1步骤，准备加工对象物；第2步骤，在第1步骤之后，通过对加工对象物照射激光，分别沿着多个切断预定线，在加工对象物的单晶硅基板的内部形成至少1列的改质区域，并以跨越至少1列的改质区域与加工对象物的第2主面之间的方式形成龟裂；以及第3步骤，在第2步骤之后，对加工对象物从第2主面侧实施干式蚀刻，由此分别沿着多个切断预定线形成在第2主面开口的槽。在第2步骤中，以使龟裂未连接的未龟裂区域形成于加工对象物中的厚度方向的规定位置的方式形成改质区域。

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摘要：描述了用于切割半导体晶圆及运送单切晶粒的方法。在一实例中，一种用于切割具有多个集成电路在其上的晶圆的方法包含了将该晶圆切割为配置在一切割胶带上方的多个单切晶粒。该方法也包含在该切割胶带上方、该多个单切晶粒上与其间形成一水溶性材料层。

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申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L21/301
摘要：加工对象物切断方法包括：第一步骤，准备具有单晶硅基板和设置于第一主面侧的功能元件层的加工对象物，在加工对象物的第二主面形成蚀刻保护层；第二步骤，通过对加工对象物照射激光，分别沿多条切断预定线在单晶硅基板的内部形成至少1改质区域，并分别沿多条切断预定线在加工对象物以跨至少1列蚀刻保护层与蚀刻保护层的表面之间的方式形成龟裂；和第三步骤，通过在蚀刻保护层形成于第二主面的状态下，从第二主面侧对加工对象物实施干式蚀刻，分别沿切断预定线在加工对象物形成开口于第二主面的沟槽。

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发明人：坂本刚志 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L21/301
摘要：加工对象物切断方法包含：第1步骤，准备加工对象物；第2步骤，在第1步骤之后，通过对加工对象物照射激光，分别沿着多个切断预定线，在加工对象物的单晶硅基板的内部形成至少1列的改质区域，并以跨越至少1列的改质区域与加工对象物的第2主面之间的方式形成龟裂；以及第3步骤，在第2步骤之后，对加工对象物从第2主面侧实施反应性离子蚀刻，由此分别沿着多个切断预定线，形成在第2主面开口的槽。在第3步骤中，在反应性离子蚀刻的实施中，在加工对象物的第2主面及槽的内面形成黑硅层。

加工对象物切断方法-201880025397.6
发明人：坂本刚志;荻原孝文;田口智也 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L21/301
摘要：加工对象物切断方法包括：第一步骤，准备具有单晶硅基板和设置于第一主面侧的功能元件层的加工对象物；第二步骤，通过对加工对象物照射激光，分别沿多条切断预定线在单晶硅基板的内部形成至少1列改质区域，并分别沿多条切断预定线在加工对象物以跨至少1列改质区域与加工对象物的第二主面之间的方式形成龟裂；和第三步骤，通过对加工对象物从第二主面侧实施干式蚀刻，分别沿多条切断预定线在加工对象物形成开口于第二主面的沟槽。在第三步骤中，在第二主面形成有沿多条切断预定线形成了气体通过区域的蚀刻保护层的状态下，使用二氟化氙气体，从第二主面侧实施干式蚀刻。

晶片的加工方法-201910375340.5
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/301
摘要：提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，使用以能够旋转的方式具有切削刀具的切削装置，沿着分割预定线对该晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，从该聚酯系片拾取各个该器件芯片。

晶圆加工用粘合片-201880024706.8
发明人：水野浩二;高桥智一;龟井胜利 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/301
摘要：本发明的晶圆加工用粘合片(10)具有层叠结构，所述层叠结构包含：作为含有增塑剂的聚烯烃系基材的基材(11)、以及含有增塑剂的粘合剂层(12)。相对于粘合剂层(12)中的粘合剂100质量份，粘合剂层(12)中的增塑剂的含量例如为1～100质量份。这种晶圆加工用粘合片适于抑制晶圆切割时所产生的粉尘向加工对象物的附着。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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