[发明专利]倒置绿光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种倒置绿光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法，包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、绿光量子点发光层、绿光能量传递层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极；所述绿光量子点发光层的厚度为20nm～30nm；所述绿光能量传递层的厚度为0.1nm～2.2nm。这种倒置绿光量子点薄膜电致发光器件，采用绿光能量传递层作为发光激子形成的辅助层，使得绿光发光激子除了直接注入的方式形成外，还可通过能量传递的方式形成，绿光发光激子在绿光能量传递层形成后通过能量传递的方式再到达绿光量子点发光层上使其发光，从而解决了倒置绿光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入势垒较高的问题。

主权项

1.一种倒置绿光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、绿光量子点发光层、绿光能量传递层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极；所述绿光量子点发光层的材料为绿光量子点，所述绿光量子点发光层的厚度为20nm～30nm；所述绿光量子点为核壳结构的CdSe@ZnS绿光量子点，所述核壳结构的CdSe@ZnS绿光量子点的粒径为6nm～15nm，其中，“CdSe@ZnS”为ZnS包覆CdSe；所述绿光能量传递层的材料为绿光有机发光材料，所述绿光能量传递层的厚度为0.1nm～2.2nm。