[发明专利]光电子半导体芯片有效
| 申请号： | 201610650009.6 | 申请日： | 2012-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN106252482B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 马库斯·毛特;卡尔·恩格尔;塞巴斯蒂安·特格尔;罗伯特·沃尔特;约翰内斯·施托克 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;周涛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种光电子半导体芯片(10)，所述光电子半导体芯片包括由半导体材料制成的半导体本体(1)、p型接触层(21a)和n型接触层(2)。半导体本体(1)具有设为用于产生辐射的有源层(1a)。半导体本体具有p型侧(1c)和n型侧(1b)，在所述p型侧和n型侧之间设置有有源层(1a)。p型接触层(21a)设为用于电接触p型侧(1c)。n型接触层(2)设为用于电接触n型侧(1b)。n型接触层(2)包含TCO层(2a)和镜面层(2b)，其中TCO层(2a)设置在半导体本体(1)的n型侧(1b)和镜面层(2b)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种光电子半导体芯片(10)，包括由半导体材料制成的半导体本体(1)、p型接触层(21a)和n型接触层(2)，其中‑所述p型接触层(21a)和所述n型接触层(2)设置在所述半导体本体(1)的同一侧上，‑所述半导体本体(1)具有设为用于产生辐射的有源层(1a)，‑所述半导体本体(1)具有p型侧(1c)和n型侧(1b)，在所述p型侧和所述n型侧之间设置有所述有源层(1a)，‑所述p型接触层(21a)设为用于电接触所述半导体本体(1)的所述p型侧(1c)，‑所述n型接触层(2)设为用于电接触所述半导体本体(1)的所述n型侧(1b)，‑所述n型接触层(2)包含TCO层(2a)和镜面层(2b)，其中所述TCO层(2a)设置在所述半导体本体(1)的所述n型侧(1b)和所述镜面层(2b)之间，‑所述n型接触层(2)借助于穿通部(22)穿过所述p型接触层(21a)并且穿过所述半导体本体(1)的所述p型侧(1c)被引导到所述n型侧(1b)，‑为了电绝缘，所述穿通部(22)由电绝缘层(3)覆层，使得所述n型接触层(2)和所述p型接触层(21a)以及所述p型侧(1c)在任何部位上都不形成直接电接触，‑所述TCO层(2a)在所述穿通部(22)中设置在所述半导体本体(1)的所述n型侧(1b)和所述镜面层(2b)之间，‑在所述半导体本体(1)的n型侧(1b)与所述n型 接触层(2)经由所述TCO层(2a)形成电接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司，未经欧司朗光电半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610650009.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种实现蓝宝石衬底重复利用的垂直LED芯片制备方法
- 下一篇：发光装置
