[发明专利]超结器件在审
| 申请号： | 201611071177.6 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108122975A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 曾大杰 | 申请（专利权）人： | 深圳尚阳通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超结器件，包括：由交替排列的第一导电类型柱和第二导电类型柱组成的超结结构；沟道区，缓冲层；漏区由缓冲层底部的半导体衬底组成；源区形成于沟道区表面；漂移区和沟道区以及第二导电类型柱形成寄生体二极管；缓冲层由第一和第二缓冲子层叠加形成，第二缓冲子层的掺杂浓度低于第一导电类型柱的掺杂浓度，通过调节第二缓冲子层的掺杂浓度提高超结器件的反向恢复的软度因子；第一缓冲子层的掺杂浓度高于第二缓冲子层的掺杂浓度，通过调节第一缓冲子层的掺杂浓度来保持或降低超结器件的比导通电阻。本发明能提高反向恢复的软度因子以及降低器件的成本和降低器件的比导通电阻，能提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲子层 掺杂 超结器件 缓冲层 第一导电类型 比导通电阻 导电类型 反向恢复 降低器件 沟道区 软度 寄生体二极管 沟道区表面 超结结构 击穿电压 交替排列 漂移区 衬底 缓冲 漏区 源区 半导体 | ||
【主权项】：
一种超结器件，其特征在于，包括：由交替排列的第一导电类型柱和第二导电类型柱组成的超结结构；在各所述第二导电类型柱的顶部形成有第二导电类型掺杂的沟道区，各所述沟道区还延伸到所述第一导电类型柱的顶部；在所述超结结构底部形成有第一导电类型掺杂的缓冲层；所述缓冲层底部为第一导电类型重掺杂的半导体衬底，漏区由所述半导体衬底组成；在各所述沟道区中都形成有由第一导电类型重掺杂区组成的源区；位于所述沟道区和所述漏区之间的各所述第一导电类型柱以及所述缓冲层作为超结器件的漂移区，第一导电类型掺杂的所述漂移区和第二导电类型掺杂的所述沟道区以及所述第二导电类型柱形成寄生体二极管；所述缓冲层由第一导电类型掺杂的第一缓冲子层和第一导电类型掺杂的第二缓冲子层叠加形成，所述第一缓冲子层的背面和所述半导体衬底接触，所述第二缓冲子层的背面和所述第一缓冲子层的正面接触，所述第二缓冲子层的正面和所述超结结构接触；所述第二缓冲子层的掺杂浓度低于所述第一导电类型柱的掺杂浓度，通过调节所述第二缓冲子层的掺杂浓度提高超结器件的反向恢复的软度因子；所述第一缓冲子层的掺杂浓度高于所述第二缓冲子层的掺杂浓度，通过调节所述第一缓冲子层的掺杂浓度来抵消所述第二缓冲子层对所述超结器件的比导通电阻增加的影响，从而在提高器件的反向恢复的软度因子的同时保持或降低所述超结器件的比导通电阻。
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