[发明专利]一种MEMS晶圆切割方法及MEMS芯片制作方法有效
| 申请号： | 201710050894.9 | 申请日： | 2017-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN106711091B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 刘艳松;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B28D5/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开MEMS晶圆切割方法及MEMS芯片制作方法，MEMS晶圆切割方法包括：将提供的MEMS晶圆贴在第一贴膜上，使MEMS晶圆上的MEMS芯片元件区位于第一贴膜的镂空区内；对MEMS晶圆背离MEMS芯片的表面进行切割；对切割后的MEMS晶圆进行扩片，得到多个独立的MEMS芯片。由于第一贴膜包括与MEMS晶圆上的MEMS芯片元件区相对应的镂空区；在将MEMS晶圆贴在第一贴膜上时，MEMS芯片元件区位于第一贴膜的镂空区内，从而在后续晶圆扩片过程中，使得第一贴膜对MEMS芯片的粘附力较小，避免了贴膜粘附力对MEMS芯片元件区的机械应力，进而降低了MEMS芯片的破片率，提高了MEMS芯片的产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 切割 方法 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS晶圆切割方法，其特征在于，包括：提供贴膜和MEMS晶圆，所述贴膜包括相对设置的第一贴膜和第二贴膜，所述第一贴膜包括与所述MEMS晶圆上的MEMS芯片元件区相对应的镂空区；将所述MEMS晶圆贴在所述第一贴膜上，使所述MEMS晶圆上的MEMS芯片元件区位于所述第一贴膜的镂空区内；对所述MEMS晶圆背离所述MEMS芯片的表面进行切割；对切割后的MEMS晶圆进行扩片，得到多个独立的MEMS芯片；其中，所述提供贴膜和MEMS晶圆步骤中，所述提供贴膜的具体方法包括：提供两层整面贴膜和钢圈；将所述两层整面贴膜层叠设置，贴在所述钢圈上；按照所述MEMS晶圆上MEMS芯片元件区的布局，将靠近所述钢圈的贴膜进行切割；去除切割部分的贴膜，形成镂空区，所述具有镂空区的贴膜形成所述第一贴膜，未被切割的贴膜为第二贴膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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