[发明专利]一种基于氧化锡锑的上转换材料有效

申请号：	201710227242.8	申请日：	2017-04-10
公开（公告）号：	CN106987248B	公开（公告）日：	2019-08-06
发明（设计）人：	李晓强;徐诚;李梦娟;邱华;王纪冬	申请（专利权）人：	江南大学
主分类号：	C09K11/75	分类号：	C09K11/75;D06M11/47;D06M15/564;C08L75/04;C08K3/22;C08J5/18;D06B3/18;D06M101/06
代理公司：	哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211	代理人：	张勇
地址：	214122 江***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	本发明公开了一种基于氧化锡锑的上转换材料，属于材料技术领域。本发明的上转换材料中的氧化锡锑可以对红外光进行大量屏蔽，而掺杂的一定量的稀土元素铒和镱能够吸收环境中较长波长的红外线能量，透过的红外光进一步经稀土元素4f轨道激发和退激发过程放出近红外能量，进一步有效地达到了隔热的作用。本发明的上转换材料创造性地应用于面料加工，可以制备得到隔热性能良好、可光光透过率良好的面料，面料可以用于制备夏日服装。同时，本发明的上转换材料应用于面料加工或者透明隔热薄膜制备时，使用方法非常简便，而且不需要额外的加工设备，容易进行工业化应用。
搜索关键词：	一种基于氧化转换材料
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【主权项】：

1.一种上转换材料，其特征在于，所述上转换材料主要是通过掺杂稀土元素铒和镱实现上转换功能；所述上转换材料的制备方法是：(1)以一定摩尔比的氧化锡、氧化锑、硝酸铒、硝酸镱为主要原料，加入蒸馏水与冰醋酸作为混合溶剂，在反应釜中反应一段时间；其中，所述氧化锡、氧化锑、硝酸铒、硝酸镱的摩尔比为45:4.7:0.2:0.2、45:4.7:0.3:0.3或45:8:0.3:0.3；(2)然后密封反应釜，于在160‑200℃烘箱中反应4小时，取出，自然冷却；(3)将反应产物过滤、干燥，而后将产物在600‑800℃煅烧2‑4小时；(4)将产物机械粉碎，得到稀土元素掺杂的氧化锡锑上转换材料。

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申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： C09K11/75
摘要：本发明提出铕铽共掺杂铅锑酸盐发光薄膜、含其的电致发光器件及二者的制备方法，所述铕铽共掺杂铅锑酸盐发光薄膜的化学通式为RPb4-x-ySb6O24∶xEu2+,yTb3+；其中，RPb4Sb6O24是基质；Eu2+和Tb3+为激活元素；x的取值范围为0.01～0.05；y的取值范围为0.005～0.03；R为Mg、Ca、Ba或Sr。本发明通过磁控溅射镀膜设备所制得的铕铽共掺杂铅锑酸盐发光薄膜在480nm和580nm位置有很强的发光峰，具有良好的发光性能。所述铕铽共掺杂铅锑酸盐发光薄膜实现了反光材料由荧光粉到发光薄膜的过渡，增加了发光薄膜的种类。

锰掺杂锑硅酸盐发光薄膜及其制备方法和电致发光器件-201310633486.8
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摘要：本发明涉及一种锰掺杂锑硅酸盐发光薄膜及其制备方法和电致发光器件，所述锰掺杂锑硅酸盐发光薄膜的化学通式为MeSb2-xSi2O10：xMn4+；其中：MeSb2-xSi2O10是基质，Mn4+是掺杂元素；x的取值范围为0.01~0.08；Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。所述锰掺杂锑硅酸盐发光薄膜在655nm波长区有很强的发光峰，具有良好的发光性能。所述锰掺杂锑硅酸盐发光薄膜以锰金属替换稀土材料，减少稀土材料的使用量。

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摘要：本发明提供了一种镓锑酸盐发光材料及其制备方法和应用。本发明提供的镓锑酸盐发光材料结构式为Me5Ga1-xSbO9：xMn4+，其中，Me为Mg、Ca、Sr或Ba，x的取值范围为0.01～0.08，该镓锑酸盐发光材料具有良好的结构稳定性，在520nm位置附近有很强的发光峰，在发光与显示技术、激光与光电子技术以及探测技术等领域具有诱人的应用前景。本发明还提供了一种薄膜电致发光器件及其制备方法。

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申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： C09K11/75
摘要：本发明提出一种铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜及其制备方法和电致发光器件，述铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜的化学通式为MeSbAl2O7：xEu3+,yBi3+；其中：MeSbAl2O7是基质；Eu3+和Bi3+为激活元素；x的取值范围为0.005~0.05；y的取值范围为0.005~0.03；Me为Ga、In或Tl。本发明采用磁控溅射设备制得铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜，所述铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜在480nm和580nm位置有很强的发光峰，具有良好的发光性能。所述铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜实现了反光材料由荧光粉到发光薄膜的过渡，增加了发光薄膜的种类。

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摘要：本发明公开了一种锑铽共掺杂铅锑酸盐发光材料，该发光材料的分子表达式为RPb4-x-ySb6O24：xSb3+,yTb3+，其中RPb4-x-ySb6O24是基质，Sb3+和Tb3+是激活元素，R为Mg,Ca,Ba或Sr，x的取值范围为0.01～0.05，y的取值范围为0.01～0.08。该发光材料基质铅锑酸盐具有良好的热稳定性和化学稳定性以及较好的加工性能；并且在铅锑酸盐基质中掺杂锑和铽激活元素，充当主要的发光中心，得到的发光材料的电致发光谱（EL）中，在490nm和580nm位置有很强的发光峰。本发明还提供了锑铽共掺杂铅锑酸盐发光材料的制备方法及其在薄膜电致发光器件中的应用。

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申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： C09K11/75
摘要：一种钐掺杂镓锑酸盐发光材料，其化学式为Me5Ga1-xSbO9：xSm3+，其中，x为0.01～0.05，Me选自镁元素，钙元素，锶元素和钡元素中至少一种。该钐掺杂镓锑酸盐发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在638nm和727nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明还提供该钐掺杂镓锑酸盐发光材料的制备方法及其应用。

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摘要：一种钐掺杂硫代锑酸盐发光材料，其化学式为Me2-xSb2S7：xSm3+，其中，x为0.01～0.05，Me为镁元素，钙元素，锶元素，钡元素和锌元素中至少一种。该钐掺杂硫代锑酸盐发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在638nm和727nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明还提供该钐掺杂硫代锑酸盐发光材料的制备方法及其应用。

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摘要：本发明提供了一种铕掺杂锑铝酸盐发光薄膜，该铕掺杂锑铝酸盐发光薄膜的化学通式为MeSb2AlO8：xEu3+，其中，Me为Ga，In或Tl，x的取值范围为0.01～0.06，该锑铝酸盐发光薄膜具有良好的结构稳定性，在620nm位置附近有很强的发光峰，在发光与显示技术、激光与光电子技术以及探测技术等领域具有诱人的应用前景。本发明还提供了一种薄膜电致发光器件及其制备方法。

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摘要：本发明提供了一种锑硅酸盐发光材料及其制备方法和应用。本发明提供的锑硅酸盐发光材料结构式为MeSb2-xSi2O10:xCe3+,其中，Me为Mg、Ca、Sr、Ba或Zn，x的取值范围为0.01～0.05，该锑硅酸盐发光材料具有良好的结构稳定性，在535nm位置附近有很强的发光峰，在发光与显示技术、激光与光电子技术以及探测技术等领域具有诱人的应用前景。本发明还提供了一种薄膜电致发光器件及其制备方法。

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申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： C09K11/75
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申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： C09K11/75
摘要：本发明提供了一种锑铝酸盐发光材料及其制备方法和应用。本发明提供的锑铝酸盐发光材料结构式为Me2SbAl3O9：xEu2+,yTb3+,其中，Me为Mg、Ca、Sr、Ba或Zn，x的取值范围为0.01～0.05，y的取值范围为0.01～0.04，该锑铝酸盐发光材料具有良好的结构稳定性，在480nm和580nm位置附近有很强的发光峰，在发光与显示技术、激光与光电子技术以及探测技术等领域具有诱人的应用前景。本发明还提供了一种薄膜电致发光器件及其制备方法。

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申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： C09K11/75
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发明人：周明杰;陈吉星;王平;冯小明 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： C09K11/75
摘要：本发明公开了一种铕铽共掺杂氯锑酸盐发光薄膜，所述铕铽共掺杂氯锑酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me₅(SbO₄)₃Cl：xEu³⁺,yTb³⁺；其中，Me₅(SbO₄)₃Cl是基质，掺杂元素Eu和Tb是发光体系中的激活元素，在结构组成中是进入了Sb⁵⁺离子的晶格，且x为0.01～0.08，y为0.01～0.06，Me为Ca、Ba或Sr。上述铕铽共掺杂氯锑酸盐发光薄膜（Me₅(SbO₄)₃Cl：xEu³⁺,yTb³⁺）的电致发光光谱（EL）中，在480nm和560nm波长区都有很强的发光峰，这种铕铽共掺杂氯锑酸盐发光薄膜能够应用于薄膜电致发光器件。本发明还公开了上述铕铽共掺杂氯锑酸盐发光薄膜、其制备方法、使用该铕铽共掺杂氯锑酸盐发光薄膜的薄膜电致发光器件及其制备方法。

一种锑酸盐长余辉荧光粉及其制备方法-201310324930.8
发明人：黄彦林;祁淑云;蔡培庆 -专利权人：苏州大学
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C09K11/75
摘要：本发明涉及一种锑酸盐长余辉荧光粉及其制备方法。荧光粉的化学式为LiZn2Y3-3xRE3xSb2O12，其中，RE为稀土离子La3+、Ce3+、Pr3+、Nd3+、Sm3+、Eu3+、Gd3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+、Yb3+、Lu3+、Sc3+，x为RE掺杂取代Y3+的摩尔百分比系数，0≤x≤0.5。本发明提供的锑酸盐荧光粉在200～350nm紫外光激发停止后，发出明亮的橙色光，发光强度高、稳定性和显色性好，具有良好的化学稳定性和热稳定性。本发明所采用的制造方法简单，可操作性强，不需要在还原气氛之中煅烧，无废水废气排放，环境友好，重现性好，产品质量稳定，易于操作和工业化生产。

绿色荧光体、等离子体显示面板及其制备方法-201010114273.0
发明人：李泳勋;崔益圭;金荣基;宋在爀;宋有美;金玲宽;李淳律;金润昶;张东植 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C09K11/75
摘要：绿色荧光体、包含所述绿色荧光体的等离子体显示面板(PDP)和所述绿色荧光体的制备方法。在一个实施例中，绿色荧光体包含锶(Sr)；铝(Al)；铕(Eu)；和选自由磷(P)、砷(As)、锑(Sb)和铋(Bi)组成的组中的至少一种元素(M)。

发光物质-201010185246.2
发明人：冈朵拉罗夫;瓦特涂斯;李贞勋 -专利权人：汉城半导体股份有限公司;罗夫冈朵拉;涂斯瓦特
申请日： 2005-01-17 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： C09K11/75
摘要：本发明是关于一种发光物质，是有关于含有铅及/或铜掺杂的化合物的发光物质，用以激发出紫外光或可见光。发光物质由一个或多于一个的铝酸盐型态、硅酸盐型态、锑酸盐型态、锗酸盐或锗酸盐-硅酸盐型态及/或磷酸盐型态的化合物组成。据此，本发明分别利用能够让发光带转换至更长或更短波长的铅和铜来替代碱土离子。含有铜及/或铅的发光化合物具有改善的发光特性，且其对于水、湿气及其它极性溶剂具有改善的稳定性。本发明所提供的铅及/或铜掺杂的发光化合物具有约从2,000K到8,000K或10,000K的高色温范围，且其现色指数超过90。

发光物质-201010185318.3
发明人：冈朵拉罗夫;瓦特涂斯;李贞勋 -专利权人：汉城半导体股份有限公司;罗夫冈朵拉;涂斯瓦特
申请日： 2005-01-17 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： C09K11/75
摘要：本发明是关于一种发光物质，是有关于含有铅及/或铜掺杂的化合物的发光物质，用以激发出紫外光或可见光。发光物质由一个或多于一个的铝酸盐型态、硅酸盐型态、锑酸盐型态、锗酸盐或锗酸盐-硅酸盐型态及/或磷酸盐型态的化合物组成。据此，本发明分别利用能够让发光带转换至更长或更短波长的铅和铜来替代碱土离子。含有铜及/或铅的发光化合物具有改善的发光特性，且其对于水、湿气及其它极性溶剂具有改善的稳定性。本发明所提供的铅及/或铜掺杂的发光化合物具有约从2,000K到8,000K或10,000K的高色温范围，且其现色指数超过90。

专利分类

C 化学；冶金

C09 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09K 不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用
C09K11-00 发光材料，例如电致发光材料、化学发光材料
C09K11-01 .发光材料的回收
C09K11-02 .以特殊材料作为黏合剂，用于粒子涂层或作悬浮介质
C09K11-04 .含有天然或人造放射性元素或未经指明的放射性元素
C09K11-06 .含有机发光材料
C09K11-08 .含无机发光材料

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[发明专利]一种基于氧化锡锑的上转换材料有效

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