[发明专利]基于非极性GaN体材料的肖特基二极管的制备方法在审
| 申请号： | 201710611423.0 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107481928A | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 张进成;杜金娟;许晟瑞;郝跃;吕玲;李培咸;陶鸿昌;林志宇;张金风 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心61205 | 代理人： | 王品华,朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于非极性GaN体材料的肖特基二极管的制备方法，主要解决现有肖特基二极管的漏电高的问题。其自上而下包括衬底(1)，重掺杂n型非极性GaN外延层(2)和轻掺杂n型非极性GaN层(3)，且重掺杂n型非极性GaN外延层(2)上设有由金属Ti/Al/Ti/Au材料制作的欧姆接触电极(4)，轻掺杂n型非极性GaN层(3)上设有由金属Ni/Au材料制作的肖特基接触电极(5)，衬底(1)选用非极性GaN体材料，本发明利用非极性GaN体材料衬底中位错密度小，且位错横向生长的特点，减少了漏电通道的形成，降低了器件的泄漏电流，提高器件的性能，可用作高频、低压、大电流整流二极管或小信号检波。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 极性 gan 材料 肖特基 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于非极性GaN体材料的肖特基二极管，自下而上包括：衬底(1)，重掺杂n型非极性GaN外延层(2)和轻掺杂n型非极性GaN层(3)，且重掺杂n型非极性GaN外延层(2)上设有欧姆接触电极(4)，轻掺杂n型非极性GaN层(3)上设有肖特基接触电极(5)，其特征在于：衬底(1)选用非极性GaN体材料，用以减小肖特基二极管中的漏电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
