[发明专利]一种基于深槽腐蚀的空腔形成方法有效
| 申请号： | 201710692827.7 | 申请日： | 2017-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN109384195B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 苏佳乐;夏长奉;周国平;张新伟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于深槽腐蚀的空腔形成方法，包括：提供半导体衬底，对所述半导体衬底进行所述深槽腐蚀，以在所述半导体衬底中形成由多个槽构成的阵列，所述阵列中的最外围的槽之间的间距大于所述阵列中的其余的槽之间的间距；对所述半导体衬底进行退火处理，以在所述半导体衬底中形成空腔。根据本发明，可以减小管芯面积，降低工艺难度并减少成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 腐蚀 空腔 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于深槽腐蚀的空腔形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，对所述半导体衬底进行所述深槽腐蚀，以在所述半导体衬底中形成由多个槽构成的阵列，所述阵列中的最外围的槽之间的间距大于所述阵列中的其余的槽之间的间距；对所述半导体衬底进行退火处理，以在所述半导体衬底中形成空腔。
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