[发明专利]使用动态随机存取存储器(DRAM)高速缓存指示符高速缓存存储器以提供可扩展DRAM高速缓存管理在审
| 申请号： | 201780010596.5 | 申请日： | 2017-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN108701093A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | N·瓦伊德亚纳坦;M·C·A·A·黑德斯;C·B·韦里利 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/0893 | 分类号： | G06F12/0893 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供使用动态随机存取存储器DRAM高速缓存指示符高速缓存存储器以提供可扩展DRAM高速缓存管理。在一个方面中，提供DRAM高速缓存管理电路以管理对高带宽存储器中的DRAM高速缓存存储器的存取。所述DRAM高速缓存管理电路包括DRAM高速缓存指示符高速缓存存储器，其存储从系统存储器DRAM中的主控表读取并含有DRAM高速缓存指示符的主控表项。所述DRAM高速缓存指示符使得所述DRAM高速缓存管理电路能够确定所述系统存储器DRAM中的存储器行是否在高带宽存储器的所述DRAM高速缓存存储器中被高速缓存，且如果是，那么确定所述存储器行被存储在所述DRAM高速缓存存储器的哪一路中。基于所述DRAM高速缓存指示符高速缓存存储器，所述DRAM高速缓存管理电路可确定是否采用所述DRAM高速缓存存储器及/或所述系统存储器DRAM而以优化方式执行存储器存取操作。 | ||
| 搜索关键词： | 高速缓存存储器 高速缓存管理 高速缓存指示 系统存储器 电路 动态随机存取存储器 存储器行 存储器 高带宽 可扩展 主控表 存储 存储器存取操作 读取 高速缓存 存取 优化 管理 | ||
【主权项】：
1.一种动态随机存取存储器DRAM高速缓存管理电路，其以通信方式耦合到为高带宽存储器的部分的DRAM高速缓存存储器且进一步以通信方式耦合到系统存储器DRAM；所述DRAM高速缓存管理电路包括DRAM高速缓存指示符高速缓存存储器，其经配置以高速缓存从所述系统存储器DRAM中的主控表读取的多个DRAM高速缓存指示符，所述多个DRAM高速缓存指示符指示所述系统存储器DRAM的对应存储器行是否在所述DRAM高速缓存存储器中被高速缓存；所述DRAM高速缓存管理电路经配置以：接收包括读取地址的存储器读取请求；确定所述读取地址是否在所述DRAM高速缓存指示符高速缓存存储器中被发现；响应于确定所述读取地址在所述DRAM高速缓存指示符高速缓存存储器中未被发现，读取在所述系统存储器DRAM中的所述读取地址处的数据；及响应于确定所述读取地址在所述DRAM高速缓存指示符高速缓存存储器中被发现：基于所述DRAM高速缓存指示符高速缓存存储器确定所述读取地址是否在所述DRAM高速缓存存储器中被发现；响应于确定所述读取地址在所述DRAM高速缓存存储器中未被发现，读取在所述系统存储器DRAM中的所述读取地址处的数据；及响应于确定所述读取地址在所述DRAM高速缓存存储器中被发现，从所述DRAM高速缓存存储器读取针对所述读取地址的数据。
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- 2017-02-01 - 2018-10-23 - G06F12/0893
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