[发明专利]采用自对准的顶栅薄膜晶体管的嵌入式存储器在审
| 申请号： | 201780087124.X | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN110291585A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 王奕;A.沙尔马;V.莱 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/402 | 分类号： | G11C11/402;G11C11/4097;H01L27/108;G11C11/4074 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毕铮;刘春元 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种存储器器件，其中的存储器单元包括薄膜选择晶体管和电容器（1TFT‑1C）。可以在TFT阵列之上制造金属‑绝缘体‑金属电容器的2D阵列。耦合到相同位线的相邻的存储器单元可以采用薄膜半导体材料的连续条带。被偏置以保持关断的隔离晶体管可以在位线的相邻存储节点之间提供电隔离。可以利用字线分路器来减小字线电阻，所述字线分路器被制造在金属化位面中并且在字线长度之上的多个点处用带固定到TFT的栅极端子迹线。电容器阵列可以占据衬底之上的占用空间。向电容器提供字线和位线访问的TFT可以大体上驻留在电容器阵列占用空间内。外围列和行电路可以采用FET，所述FET大体上在电容器阵列占用空间内被制造在衬底之上。 | ||
| 搜索关键词： | 字线 电容器阵列 占用空间 电容器 存储器单元 分路器 衬底 位线 绝缘体 制造 薄膜半导体材料 顶栅薄膜晶体管 嵌入式存储器 相邻存储节点 存储器器件 隔离晶体管 金属电容器 选择晶体管 连续条带 栅极端子 字线电阻 驻留 电隔离 金属化 行电路 在位线 自对准 耦合到 关断 迹线 减小 偏置 薄膜 外围 金属 占据 访问 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路存储器器件，包括：第一电容器，其具有在第一电路节点处电耦合到第一薄膜晶体管的第一半导体端子的端子；第二电容器，其具有在第二电路节点处电耦合到第二薄膜晶体管的第一半导体端子的端子；第三薄膜晶体管，其具有电耦合到第一电路节点的第一半导体端子以及电耦合到第二电路节点的第二半导体端子；电耦合到第一晶体管的栅极端子的第一字线；电耦合到第二晶体管的栅极端子的第二字线；电耦合到第三晶体管的栅极端子的隔离字线；以及电耦合到第一晶体管的第二半导体端子并且电耦合到第二晶体管的第二半导体端子的位线。
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