[发明专利]用于具有碳化硅MOSFET的功率转换器的接地方法有效

专利信息
申请号: 201780088146.8 申请日: 2017-12-22
公开(公告)号: CN110352550B 公开(公告)日: 2021-04-23
发明(设计)人: R.G.瓦戈纳;G.贾尼雷迪;S.舒克拉;R.N.拉朱;H.R.施内茨卡 申请(专利权)人: 通用电气公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32;H02M5/458;H02J3/38;H02M1/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 杨忠;刘茜
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了用于使具有碳化硅MOSFET功率转换器的发电系统接地的系统和方法。发电系统可包括:包括多相转子的发电机,其配置成产生处于第一电压下的多相交流功率;以及功率转换器,其包括一个或多个碳化硅MOSFET和隔离变压器。功率转换器可配置成使处于第一电压下的来自发电机的多相交流功率转换成处于第二电压下的多相交流功率。发电系统可电接地,以使与功率转换器的隔离变压器相关联的漏电流分流到接地端。
搜索关键词: 用于 具有 碳化硅 mosfet 功率 转换器 接地 方法
【主权项】:
1.一种发电系统,包括:发电机,其包括多相转子,所述发电机配置成产生处于第一电压下的多相交流功率;功率转换器,其包括一个或多个碳化硅MOSFET和隔离变压器;所述功率转换器配置成使处于所述第一电压下的来自所述发电机的所述多相交流功率转换成处于第二电压下的多相交流功率;以及接地端;其中,所述发电系统电接地,以使与所述功率转换器的所述隔离变压器相关联的漏电流分流到所述接地端。
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