[发明专利]一种用于微带探针的光纤端面耦合器的制作方法有效
| 申请号： | 201810013898.4 | 申请日： | 2018-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN108562980B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 乐孜纯;黄浩然;热尼·莫洛佐夫;董文 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42;G02B6/132;G02B6/13 |
| 代理公司： | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人： | 王利强 |
| 地址： | 310014 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种用于微带探针的光纤端面耦合器的制作方法，包括以下步骤：(1)通过热氧化法在硅晶片上生成氧化物层；(2)在步骤(1)的氧化物层上沉积一层牺牲层；(3)使用真空蒸发镀膜法，在步骤(2)的牺牲层上镀金属膜形成金属面屏；(4)在步骤(3)的金属面屏上旋转涂敷光刻胶；(5)对光刻胶进行紫外线曝光显影，形成插槽；(6)将光纤插入插槽并固定；(7)去除牺牲层，将光纤端面耦合器与硅晶片分离；(8)利用聚焦离子束刻蚀技术在金属面屏上加工出供微带探针装配的安装孔。本发明使得微带探针能够与传输光纤耦合连接，提高等离子体激元的激励能效，并大幅度降低系统调整难度，推进微带探针的实用化。 | ||
| 搜索关键词： | 微带探针 光纤端面 金属面 牺牲层 耦合器 氧化物层 插槽 聚焦离子束刻蚀 等离子体激元 真空蒸发镀膜 硅晶片分离 紫外线曝光 传输光纤 镀金属膜 光纤插入 降低系统 热氧化法 旋转涂敷 耦合连接 安装孔 光刻胶 硅晶片 能效 显影 沉积 去除 制作 装配 加工 | ||
【主权项】：
1.一种用于微带探针的光纤端面耦合器的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：(1)通过热氧化法在硅晶片上生成氧化物层；(2)在步骤(1)的氧化物层上沉积一层牺牲层；(3)使用真空蒸发镀膜法，在步骤(2)的牺牲层上镀金属膜形成金属面屏；(4)在步骤(3)的金属面屏上旋转涂敷光刻胶；(5)对光刻胶进行紫外线曝光显影，形成插槽，所述插槽的形状为圆柱形，所述插槽的直径与待插接光纤的外径相同；(6)将光纤插入插槽并固定；(7)去除牺牲层，将光纤端面耦合器与硅晶片分离；(8)利用聚焦离子束刻蚀技术在金属面屏上加工出供微带探针装配的安装孔。
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